[發明專利]在柔性襯底表面制作硬質微針陣列的方法有效
| 申請號： | 201410335136.8 | 申請日： | 2014-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN104140075A | 公開（公告）日： | 2014-11-12 |
| 發明（設計）人： | 裴為華;張賀;王宇;陳遠方;陳弘達 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;A61M37/00;A61B5/04;A61B10/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柔性 襯底 表面 制作 硬質 陣列 方法 | ||
1.一種在柔性襯底表面制作硬質微針陣列的方法，包括如下步驟：
步驟1：在一硅片上生長一層第一Parylene薄膜；
步驟2：在第一Parylene薄膜的表面旋涂一層柔性聚合物層，加熱固化；
步驟3：將柔性聚合物層從第一Parylene薄膜表面揭下；
步驟4：在與第一Parylene薄膜接觸的那一面的柔性聚合物層上生長一層第二Parylene薄膜；
步驟5：在生長有第二Parylene薄膜的柔性聚合物層上旋涂一層聚二甲基硅氧烷層，加熱固化；
步驟6：在一金屬或半導體材料上雙面生長一層二氧化硅薄膜；
步驟7：將二氧化硅薄膜與PDMS層同時用氧等離子體處理后，鍵合在一起；
步驟8：將PDMS層從第二Parylene薄膜表面揭下；
步驟9：在金屬或半導體材料未用于鍵合的一面的二氧化硅薄膜上旋涂一層均勻的光刻膠，通過光刻形成圓形光刻膠陣列；
步驟10：刻蝕二氧化硅薄膜與金屬或半導體材料，刻蝕深度到達PDMS層的表面，得到柔性襯底的硬質微柱陣列，形成基片；
步驟11：在PDMS層表面旋涂一層光刻膠，然后將基片放在腐蝕液中，將基片上的硬質微柱陣列腐蝕出針尖形狀，完成制備。
2.如權利要求1所述的在柔性襯底表面制作硬質微針陣列的方法，其中PDMS層的厚度為100-500微米。
3.如權利要求1所述的在柔性襯底表面制作硬質微針陣列的方法，其中金屬或半導體材料的厚度為100-200微米。
4.如權利要求1所述的在柔性襯底表面制作硬質微針陣列的方法，其中步驟7中鍵合時氧氣流量為1.5l/min，射頻功率為120w，處理時間為20s。
5.如權利要求1所述的在柔性襯底表面制作硬質微針陣列的方法，其中第一柔性聚合物層的材料是聚酰亞胺、PDMS、聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚甲基丙烯酸甲酯。
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