[發(fā)明專利]具有反向?qū)↖GBT和柵極驅(qū)動(dòng)器電路的電子電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410334826.1
• 申請(qǐng)日: 2014-07-15
• 公開（公告）號(hào): CN104300951A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D.韋貝爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/567
• 分類號(hào): H03K17/567
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張濤;徐紅燕

1.?一種電子電路，包括：

反向?qū)↖GBT，在第一關(guān)閉狀態(tài)柵極電壓下具有第一二極管發(fā)射極效率，并且在第二關(guān)閉狀態(tài)柵極電壓下具有不同的第二二極管發(fā)射極效率；以及

驅(qū)動(dòng)器電路，包括：驅(qū)動(dòng)器端子，電耦接到所述反向?qū)↖GBT的柵極端子，其中，所述驅(qū)動(dòng)器電路被配置為：在所述驅(qū)動(dòng)器端子處，在第一狀態(tài)下提供打開狀態(tài)柵極電壓，在第二狀態(tài)下提供所述第一關(guān)閉狀態(tài)柵極電壓，并且在第三狀態(tài)下提供所述第二關(guān)閉狀態(tài)柵極電壓。

2.?如權(quán)利要求1所述的電子電路，其中，所述驅(qū)動(dòng)器電路被配置為：從施加到第一電壓端子的第一電壓取得所述打開狀態(tài)柵極電壓，并且從施加到第二電壓端子的第二電壓取得所述第一關(guān)閉狀態(tài)柵極電壓。

3.?如權(quán)利要求2所述的電子電路，其中，所述驅(qū)動(dòng)器電路被配置為：從施加到第三電壓端子的第三電壓取得所述第二關(guān)閉狀態(tài)柵極電壓。

4.?如權(quán)利要求2所述的電子電路，包括：電壓調(diào)節(jié)器電路，被配置為：從所述第一電壓和第二電壓取得所述第二關(guān)閉狀態(tài)柵極電壓。

5.?如權(quán)利要求1所述的電子電路，其中，所述第二關(guān)閉狀態(tài)柵極電壓與所述第一關(guān)閉狀態(tài)柵極電壓偏離至少0.5V。

6.?如權(quán)利要求1所述的電子電路，其中，所述第二二極管發(fā)射極效率與所述第一二極管發(fā)射極效率偏離至少5%。

7.?如權(quán)利要求1所述的電子電路，還包括：控制電路，被配置為：控制所述驅(qū)動(dòng)器電路，以在所述第二狀態(tài)與所述第三狀態(tài)之間進(jìn)行改變。

8.?如權(quán)利要求7所述的電子電路，其中，所述控制電路控制所述驅(qū)動(dòng)器電路，以響應(yīng)于施加到所述控制電路的控制信號(hào)而在所述第二狀態(tài)與所述第三狀態(tài)之間進(jìn)行改變。

9.?如權(quán)利要求7所述的電子電路，其中，所述控制電路控制所述驅(qū)動(dòng)器電路，以響應(yīng)于內(nèi)部狀態(tài)的改變而在所述第二狀態(tài)與所述第三狀態(tài)之間進(jìn)行改變。

10.?如權(quán)利要求1所述的電子電路，其中，所述反向?qū)↖GBT被適配為：在所述打開狀態(tài)柵極電壓下在主體區(qū)帶中形成第一反型層，在所述第一關(guān)閉狀態(tài)柵極電壓下在漂移區(qū)帶中形成第二反型層，并且在所述第二關(guān)閉狀態(tài)柵極電壓下在所述漂移區(qū)帶中不形成或者形成第三反型層，其中，所述第三反型層不同于所述第二反型層。

11.?如權(quán)利要求1所述的電子電路，其中，所述反向?qū)↖GBT包括柵極電極，所述柵極電極從半導(dǎo)體部分的第一表面延伸到漂移區(qū)帶中，其中，所述漂移區(qū)帶具有第一導(dǎo)電類型，相反的第二導(dǎo)電類型的主體區(qū)帶被布置在所述第一表面與所述漂移區(qū)帶之間，并且介電襯連部分離所述柵極電極與所述半導(dǎo)體部分。

12.?如權(quán)利要求11所述的電子電路，其中，所述半導(dǎo)體部分包括所述第二導(dǎo)電類型的浮置區(qū)帶，其中，所述浮置區(qū)帶在所述第一狀態(tài)和所述第三狀態(tài)下浮置，并且第二反型層在所述第二狀態(tài)下連接所述主體區(qū)帶和所述浮置區(qū)帶。

13.?如權(quán)利要求11所述的電子電路，其中，溝槽接觸從所述第一表面延伸到所述主體區(qū)帶中。

14.?如權(quán)利要求11所述的電子電路，其中，在所述主體區(qū)帶與電連接到所述主體區(qū)帶的電極結(jié)構(gòu)之間提供界面層，從接觸材料提供所述界面層，其中，隨著降低所述主體區(qū)帶中的雜質(zhì)濃度，在所述接觸材料與所述主體區(qū)帶之間的接觸電阻增加。

15.?如權(quán)利要求14所述的電子電路，其中，所述接觸材料選自由TiW、TiN、TaN和Ta構(gòu)成的組。

16.?一種半橋電路，包括：至少兩個(gè)如權(quán)利要求1所述的電子電路，其中所述反向?qū)↖GBT被串聯(lián)地電布置。

17.?一種IGBT模塊，包括：至少兩個(gè)如權(quán)利要求1所述的電子電路。