[發明專利]一種基于超導納米線的高偏振比單光子探測器

在審

• 申請號: 201410334719.9
• 申請日: 2014-07-15
• 公開（公告）號: CN104091884A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 尤立星;李浩;郭琦;張偉君;張露;王鎮
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H01L39/08
• 分類號: H01L39/08;H01L39/10;G01J1/42
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種基于超導納米線的高偏振比單光子探測器，其特征在于，包括：

襯底；

抗反射層，結合于所述襯底表面；

超導納米線，呈周期性蜿蜒結構結合于所述抗反射層表面，所述超導納米線的寬度為不大于75納米，厚度為不小于7納米，占空比為不大于40％。

2.根據權利要求1所述的基于超導納米線的高偏振比單光子探測器，其特征在于：所述呈超導納米線的寬度為不大于75納米，厚度為不小于7納米，占空比為不大于40％。

3.根據權利要求1所述的基于超導納米線的高偏振比單光子探測器，其特征在于：所述單光子探測器的偏振比隨所述超導納米線的寬度增加而降低，隨厚度增加而增大。

4.根據權利要求1所述的基于超導納米線的高偏振比單光子探測器，其特征在于：所述呈周期性蜿蜒結構的超導納米線的每個折彎處均為直角或U形拐角。

5.根據權利要求1所述的基于超導納米線的高偏振比單光子探測器，其特征在于：所述襯底包括硅襯底、MgO襯底或藍寶石襯底，所述抗反射層的材料為二氧化硅，所述超導納米線的材料為NbN、Nb、TaN、NbTiN或WSi。

6.一種基于超導納米線的高偏振比單光子探測器，其特征在于：包括：

襯底，所述襯底的上下表面分別結合有上抗反射層及下抗反射層；

光學腔體結構，結合于所述上抗反射層表面；

反射鏡，結合于所述光學腔體結構表面；

超導納米線，呈周期性蜿蜒結構結合于所述上抗反射層與光學腔體結構之間，所述超導納米線的寬度為不大于75納米，厚度為不小于7納米，占空比為不大于40％。

7.根據權利要求6所述的基于超導納米線的高偏振比單光子探測器，其特征在于：所述單光子探測器的偏振比隨所述超導納米線的寬度增加而降低，隨厚度增加而增大。

8.根據權利要求6所述的基于超導納米線的高偏振比單光子探測器，其特征在于：所述呈超導納米線的寬度為不大于75納米，厚度為不小于7納米，占空比為不大于40％。

9.根據權利要求6所述的基于超導納米線的高偏振比單光子探測器，其特征在于：所述呈周期性蜿蜒結構的超導納米線的每個折彎處均為直角或U形拐角。

10.根據權利要求6所述的基于超導納米線的高偏振比單光子探測器，其特征在于：所述襯底為硅襯底、MgO襯底、藍寶石襯底，所述光學腔體結構的材料為二氧化硅或一氧化硅，所述上抗反射層、下抗反射層的材料為二氧化硅或一氧化硅，所述超導納米線的材料為NbN、Nb、TaN、NbTiN或WSi，所述反射鏡的材料為Ag、Au或Al。