[發(fā)明專利]一種基于介質(zhì)薄膜反射鏡的超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410334718.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-07-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104091883A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李浩;尤立星;王鎮(zhèn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L39/02 | 分類號(hào): | H01L39/02;H01L39/10;G01J1/42 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 200050 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 介質(zhì) 薄膜 反射 導(dǎo)納 米線 光子 探測(cè)器 | ||
1.一種基于介質(zhì)薄膜反射鏡的超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器,其特征在于,包括:
襯底;
全介質(zhì)多層薄膜反射鏡,結(jié)合于所述襯底表面;
超導(dǎo)納米線,結(jié)合于所述全介質(zhì)多層薄膜反射鏡表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于介質(zhì)薄膜反射鏡的超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器,其特征在于:所述全介質(zhì)多層薄膜反射鏡包括交替層疊的SiO2層與SiO層、交替層疊的SiO2層與Si層、交替層疊的SiO2層與TiO2層、或者交替層疊的SiO2層與Ta2O5層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于介質(zhì)薄膜反射鏡的超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器,其特征在于:所述超導(dǎo)納米線的材料包括NbN、Nb、TaN、NbTiN或WSi。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于介質(zhì)薄膜反射鏡的超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器,其特征在于:所述超導(dǎo)納米線為曲折蜿蜒形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于介質(zhì)薄膜反射鏡的超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器,其特征在于:所述超導(dǎo)納米線的寬度為50~150納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于介質(zhì)薄膜反射鏡的超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器,其特征在于:所述超導(dǎo)納米線的厚度為5~10納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于介質(zhì)薄膜反射鏡的超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器,其特征在于:所述襯底包括硅襯底、MgO襯底或藍(lán)寶石襯底。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于介質(zhì)薄膜反射鏡的超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器,其特征在于:所述襯底的厚度為300~500微米。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L39-00 應(yīng)用超導(dǎo)電性的或高導(dǎo)電性的器件,專門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L39-02 .零部件
H01L39-14 .永久超導(dǎo)體器件
H01L39-16 .在超導(dǎo)電和正常導(dǎo)電狀態(tài)之間可切換的器件
H01L39-22 .包含有一個(gè)不同材料結(jié)點(diǎn)的器件,例如約瑟夫遜效應(yīng)器件
H01L39-24 .專門(mén)適用于制造或處理包含在H01L 39/00組內(nèi)的器件或其部件的方法或設(shè)備





