[發明專利]用于減少MOSFET閃爍噪聲的模塊化方法

在審

• 申請號: 201410334148.9
• 申請日: 2014-07-15
• 公開（公告）號: CN104300963A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發明（設計）人: A·艾什拉格伊;A·托馬西尼
• 申請（專利權）人: 美國亞德諾半導體公司
• 主分類號: H03K19/0944
• 分類號: H03K19/0944;H01L29/78
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種用于減少一個或多個金屬氧化物半導體場效應晶體(MOSFET)的閃爍噪聲的方法，其特征在于，所述方法包含：

選擇器件中的一個或多個表面溝道MOSFET；和

將所述一個或多個表面溝道MOSFET轉換成一個或多個掩埋溝道MOSFET。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述一個或多個表面溝道MOSFET被用在器件中的一個或多個運算放大器的輸入端。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述一個或多個表面溝道MOSFET被用在軌到軌運算放大器。

4.根據權利要求1所述的方法，其中對于一個或多個MOSFET，從一個或多個表面溝道MOSFET到一個或多個掩埋溝道MOSFET的的轉換包含：應用一個或多個掩模來提供反摻雜注入到所述一個或多個表面溝道MOSFET的溝道。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述一個或多個表面溝道MOSFET包含表面溝道p溝道MOSFET；所述反摻雜注入包含注入硼(B)或二氟化硼(BF2)到表面溝道P-MOSFET的溝道。

6.根據權利要求4所述的方法，其中，所述一個或多個表面溝道MOSFET包含表面溝道n溝道MOSFET；所述反摻雜注入包含注入磷(P)或砷(As)到表面溝道NMOS的溝道。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述器件使用0.25微米或更大的工藝技術制作；所述一個或多個表面溝道器件包含n溝道MOSFET。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述器件使用小于0.25微米工藝技術制作；所述一個或多個表面溝道器件包含p型柵電極p-溝道MOSFET和/或n-型柵電極n-溝道MOSFET。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述一個或多個表面溝道MOSFET是模擬電路的一部分。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述一個或多個表面溝道MOSFET是高精度模擬電路的一部分。

11.一種用于減少一個或多個金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的閃爍噪聲的器件，其特征在于，所述器件包含：被選擇用于轉換為一個或多個掩埋溝道MOSFET的一個或多個表面溝道MOSFET；應用到所述一個或多個表面溝道MOSFET的溝道、以將一個或多個表面溝道MOSFET轉換成一個或多個掩埋溝道MOSFET的一個或多個掩模，其中一個或多個掩模提供反摻雜注入到溝道。

12.根據權利要求11所述的器件，其特征在于，所述器件是運算放大器；所述一個或多個表面溝道MOSFET被用在所述運算放大器的輸入端。

13.根據權利要求12所述的器件，其特征在于，所述器件是軌對軌運算放大器。

14.根據權利要求11所述的器件，其中，所述一個或多個表面溝道MOSFET包含表面溝道p溝道MOSFET；所述反摻雜注入包含注入硼(B)或二氟化硼(BF2)到表面溝道P-MOSFET的溝道。

15.根據權利要求11所述的器件，其中，所述一個或多個表面溝道MOSFET包含表面溝道n溝道MOSFET；所述反摻雜注入包含注入磷(P)或砷(As)到表面溝道NMOSFET的溝道。

16.根據權利要求11所述的器件，其中，所述器件使用0.25微米或更大的工藝技術制作；所述一個或多個表面溝道器件包含n溝道MOSFET。

17.根據權利要求11所述的器件，其中，所述器件使用小于0.25微米工藝技術制作；所述一個或多個表面溝道器件包含p型柵電極p-溝道MOSFET和/或n-型柵電極n-溝道MOSFET。

18.根據權利要求11所述的器件，其中，所述一個或多個表面溝道MOSFET是模擬電路的一部分。

19.根據權利要求11所述的器件，其中，所述一個或多個表面溝道MOSFET是高精度模擬電路的一部分。

20.一種被適配為具有降低的閃爍噪聲的軌對軌運算放大器，所述運算放大器包含：被選擇用于轉換為一個或多個掩埋溝道MOSFET的一個或多個表面溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)，以及應用到一個或多個表面溝道MOSFET的溝道的一個或多個掩模、以將一個或多個表面溝道MOSFET轉換成一個或多個掩埋溝道MOSFET，其中一個或多個掩模提供反摻雜注入到溝道。