[發明專利]一種印刷電路板的減銅工藝在審
| 申請號: | 201410334095.0 | 申請日: | 2014-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN104135825A | 公開(公告)日: | 2014-11-05 |
| 發明(設計)人: | 孟昭光 | 申請(專利權)人: | 東莞市五株電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/22 | 分類號: | H05K3/22 |
| 代理公司: | 無 | 代理人: | 無 |
| 地址: | 523303 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 印刷 電路板 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及一種印刷電路板(PCB)制作工藝,尤其是涉及一種印刷電路板的減銅工藝。
背景技術
在印刷印刷電路板制作過程中,為了達到面銅厚度控制要求,一般的做法是在電鍍銅后進行減銅處理。例如,電鍍面銅厚度70um(底銅17,電鍍銅20*3=60um),需要減銅到20-25um,才能保證做出2mil線路。而電路板通孔孔銅厚度一般要求在25um,業界通常是電鍍后直接過減銅線,印刷電路板面銅和孔銅同時經過減銅線藥水刻蝕,往往面銅達到制作2mil以下線路的厚度(20-25um)的要求,而孔銅經藥水刻蝕卻達不到控制要求。
發明內容
本發明主要解決的技術問題是現有印刷電路板制作過程中,孔銅經刻蝕達不到控制要求。
為了解決上述技術問題,本發明實施例公開了一種印刷電路板的減銅工藝,包括步驟:
壓干膜:將整版鍍銅后的基板進行壓干膜處理,在基板的上下兩面壓干膜,基板上的孔環被干膜掩蓋;
曝光:對基板兩面的干膜進行曝光,不需要的干膜部分被預設波長的光照射;
顯影:對曝光后的干膜進行顯影,去除不需要的干膜部分;
減銅:將顯影后的基板上不需要的面銅去除,由于孔環被干膜掩蓋,且減銅溶液與干膜之間不發生化學反應,孔銅未被減銅;
去膜:將減銅后的基板上的干膜完全去除;
磨板:打磨使得孔環處銅層與面銅的高度一致。
在本發明的一較佳實施例中,在整版鍍銅前還包括在基板外層鉆孔,以及在基板表面及鉆孔中沉銅。
在本發明的一較佳實施例中,減銅步驟中,面銅被刻蝕至20-25um厚度。
在本發明的一較佳實施例中,所述減銅溶液為酸型刻蝕溶液。
本發明的所述印刷電路板的減銅工藝通過在減銅步驟前用干膜掩蓋孔環,使得減銅步驟中酸型刻蝕溶液與干膜不發生化學反應,而保護孔銅,進而保證孔銅厚度的可靠性,巧妙減銅。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其它的附圖,其中:
圖1是本發明印刷電路板的減銅工藝一較佳實施例的基板結構示意圖。
圖2是圖1所示基板壓干膜后的結構示意圖。
圖3是對干膜進行曝光的示意圖。
圖4是被曝光干膜被顯影去除的示意圖。
圖5是顯影后減銅的示意圖。
圖6是剩余干膜去除后的示意圖。
具體實施方式
下面將對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅是本發明的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例,都屬于本發明保護的范圍。
請參閱圖1至圖6,本發明實施例公開了一種印刷電路板的減銅工藝,所述印刷電路板的減銅工藝包括以下步驟:
壓干膜:將整版鍍銅后的基板(如圖1所示)進行壓干膜處理,在基板的上下兩面壓干膜3,基板上的孔環被干膜3掩蓋,如圖2所示;其中,整版鍍銅后的基板包括板芯1和位于板芯1上下兩面的面銅2;
曝光:對基板兩面的干膜3進行曝光,不需要的干膜部分被預設波長的光通過光罩4照射,如圖3所示;
顯影:對曝光后的干膜3進行顯影,去除不需要的干膜部分,如圖4所示;
減銅:將顯影后的基板上不需要的面銅2去除,如圖5所示,由于孔環被干膜3掩蓋,且減銅溶液與干膜3之間不發生化學反應,孔銅未被減銅;
去膜:將減銅后的基板上的干膜3完全去除,如圖6所示;
磨板:打磨使得孔環處銅層與面銅的高度一致。
優選的,所述減銅溶液為酸型刻蝕溶液,在減銅步驟中,面銅被刻蝕至20-25um厚度。
當然,在完整的印刷電路板制作工藝中,在整版鍍銅前還包括在基板外層鉆孔,以及在基板表面及鉆孔中沉銅。此外,在磨板后還包括一些常規步驟,例如外層干膜→蝕刻線路→去干膜→外層自動光學檢測→防焊印刷→文字印刷→表面處理,其與現有工藝相同,在此不再贅述。
本發明的所述印刷電路板的減銅工藝通過在減銅步驟前用干膜掩蓋孔環,使得減銅步驟中酸型刻蝕溶液與干膜不發生化學反應,而保護孔銅,進而保證孔銅厚度的可靠性,巧妙減銅。
以上所述僅為本發明的實施例,并非因此限制本發明的專利范圍,凡是利用本發明說明書內容所作的等效結構或等效流程變換,或直接或間接運用在其它相關的技術領域,均同理包括在本發明的專利保護范圍內。
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