[發(fā)明專利]帶有按圖案設置的結合劑的pH傳感器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410333968.6
• 申請日: 2014-05-28
• 公開（公告）號: CN104345084B
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發(fā)明（設計）人: D·霍爾克黑默;P·S·費奇納;D·S·威利茨
• 申請（專利權）人: 霍尼韋爾國際公司
• 主分類號: G01N27/414
• 分類號: G01N27/414
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張凌苗;胡莉莉

1.一種pH傳感器（2），包括：

基底（70）；

離子敏感場效應晶體管（ISFET）管芯（10），其包括響應pH的離子感測部分（12），其中離子敏感場效應晶體管管芯結合到基底；其中離子敏感場效應晶體管管芯的離子感測部分被配置為暴露于介質(zhì)，并且其中離子感測部分輸出與介質(zhì)的pH水平相關的信號；以及

至少一種成分的結合劑材料的多個條帶（206、208），其以第一圖案設置于基底和離子敏感場效應晶體管管芯之間，其中多個條帶包括在一個方向上的抵消在熱改變期間在離子敏感場效應晶體管管芯上的環(huán)境力的至少一部分的抵消力，并且其中所述抵消力被配置為維持離子敏感場效應晶體管管芯從漏極到源極的壓電電阻的改變小于0.5%。

2.如權利要求1所述的pH傳感器，還包括：

第二成分的結合劑材料的一個或多個條帶（208、206），其以第二圖案設置在基底和離子敏感場效應晶體管管芯之間，其中第二成分的熱膨脹系數(shù)（CTE）和所述至少一種成分的熱膨脹系數(shù)不同，使得在不同溫度下兩種材料在不同方向引起在管芯上的力。

3.如權利要求1或2所述的pH傳感器，還包括：

第三成分的結合劑材料（209），其中第三成分的結合劑材料沿著所述離子敏感場效應晶體管管芯的周界（207）設置。