[發明專利]一種大功率LED封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201410333842.9
• 申請日: 2014-07-14
• 公開（公告）號: CN104124323A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 何苗;張力;鄭樹文
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 鄭瑩

1.一種大功率LED封裝結構，其特征在于：包括有高散熱基板、高導熱材料、大功率LED芯片和電路層，所述高散熱基板和高導熱材料通過高導熱粘合劑粘合為一體，所述高導熱材料與大功率LED芯片接觸的一面鍍有金屬膜層，所述大功率LED芯片用銀漿粘合劑固定于金屬膜層之上，所述金屬膜層上的大功率LED芯片周圍設置電路層，所述大功率LED芯片與電路層通過導線連接，所述電路層上安放有熒光轉換材料透鏡。

2.根據權利要求1所述的一種大功率LED封裝結構，其特征在于：所述高導熱材料為金剛石膜或類金剛石膜，所述高散熱基板為鋁、銅或者陶瓷的高散熱率材料。

3.根據權利要求1所述的一種大功率LED封裝結構，其特征在于：所述高散熱基板上開設有凹槽，所述高導熱材料通過高導熱粘合劑與凹槽粘合為一體。

4.根據權利要求1所述的一種大功率LED封裝結構，其特征在于：所述大功率LED芯片和電路層之間形成環形凹槽，所述環形凹槽中填充有硅膠。

5.根據權利要求1所述的一種大功率LED封裝結構，其特征在于：所述金屬膜層為鈦銀金屬層。

6.一種大功率LED封裝的制造方法，其特征在于：包括有以下步驟：

A、在高散熱基板上開設凹槽，并在高導熱材料的一面鍍好鈦銀金屬層；

B、在高導熱材料的另一面涂好高導熱粘合劑然后將高導熱材料塊放入凹槽內，并施加一定的壓力使高導熱材料塊通過高導熱粘結劑與高散熱基板粘合為一體；

C、在高導熱材料上設置電路層，并在電路層上設置接線柱；

D、將大功率LED芯片通過銀漿貼合在高導熱材料位于凹槽內的未設置電路層表面上，在大功率LED芯片與電路層的接線柱之間用導線連接；

E、向大功率LED芯片與電路層之間形成的環形凹槽內填充硅膠，然后將熒光轉換材料透鏡安放在電路層上。

7.根據權利要求6所述的一種大功率LED封裝的制造方法，其特征在于：所述高導熱材料為利用微波等離子體增強化學氣相沉積法生長的金剛石膜或類金剛石膜。