[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法和半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410333665.4
• 申請日: 2014-07-14
• 公開（公告）號: CN104465521B
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周仲彥;林伯耕;蔡嘉雄;陳曉萌
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在襯底內(nèi)引入摻雜劑以形成摻雜區(qū)；

形成從所述摻雜區(qū)的上表面延伸至所述摻雜區(qū)內(nèi)的溝槽；

在所述溝槽的內(nèi)表面和所述摻雜區(qū)的所述上表面上形成第一介電層；

去除所述第一介電層的一部分以形成暴露所述摻雜區(qū)的所述上表面的一部分的開口；

在所述第一介電層上和所述開口中形成第一導(dǎo)電層；

在所述第一導(dǎo)電層上形成第二介電層；

在所述第二介電層上形成第二導(dǎo)電層；

圖案化所述第二導(dǎo)電層和位于所述第二導(dǎo)電層下面的所述第二介電層以限定頂電極并暴露所述第一導(dǎo)電層的一部分；

圖案化所述第一導(dǎo)電層的所述部分以限定位于所述頂電極下面的底電極和位于所述開口上方的接觸焊盤，其中，所述摻雜區(qū)、所述第一介電層、所述底電極、所述第二介電層和所述頂電極組成溝槽電容器；

形成覆蓋所述溝槽電容器和所述接觸焊盤的層間介電(ILD)層；以及

在所述ILD層中形成分別接觸所述接觸焊盤、所述底電極和所述頂電極的多個接觸元件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，還包括：

在形成覆蓋所述溝槽電容器和所述接觸焊盤的所述ILD層之后，拋光所述ILD層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，還包括：

在形成覆蓋所述溝槽電容器和所述接觸焊盤的所述ILD層之后，圖案化所述ILD層以形成分別暴露所述接觸焊盤的一部分、所述底電極的一部分和所述頂電極的一部分的多個接觸窗口。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述ILD層具有大于每個所述接觸窗口的深度的最大厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述ILD層具有大于每個所述接觸元件的長度的最大厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，圖案化所述第一導(dǎo)電層的所述部分還包括：圖案化位于所述第一導(dǎo)電層的所述部分下面的所述第一介電層。

7.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底；

溝槽電容器，位于所述襯底中，其中，所述溝槽電容器包括：

摻雜區(qū)，位于所述襯底中，其中，所述摻雜區(qū)具有從所述摻雜區(qū)的上表面延伸至所述摻雜區(qū)內(nèi)的溝槽；

第一介電層，位于所述溝槽的內(nèi)表面上；

底電極，位于所述第一介電層上；

第二介電層，位于所述底電極上；和

頂電極，位于所述第二介電層上；

接觸焊盤，位于所述摻雜區(qū)的上表面的一部分上并且接觸所述摻雜區(qū)的上表面的一部分；

ILD層，覆蓋所述溝槽電容器和所述接觸焊盤；以及

多個接觸元件，位于所述ILD層中并且分別接觸所述接觸焊盤、所述底電極和所述頂電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述接觸焊盤和所述溝槽電容器的所述底電極由相同的導(dǎo)電材料制成。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述接觸焊盤和所述溝槽電容器的所述底電極由相同的導(dǎo)電層制成。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述接觸焊盤與所述底電極具有基本上相同的高度。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述ILD層具有多個接觸窗口以分別暴露所述接觸焊盤的一部分、所述底電極的一部分和所述頂電極的一部分，并且所述接觸元件分別設(shè)置在所述接觸窗口中。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述ILD層具有大于每個所述接觸窗口的深度的最大厚度。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述ILD層具有大于每個所述接觸元件的長度的最大厚度。

14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述接觸元件與所述摻雜區(qū)直接物理接觸。

15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一介電層在所述摻雜區(qū)的上表面上方延伸，并且具有暴露所述摻雜區(qū)的上表面的一部分的開口，并且所述接觸焊盤設(shè)置在所述開口上方。