[發(fā)明專利]多晶系透明陶瓷基板的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410333639.1
• 申請(qǐng)日: 2014-07-14
• 公開（公告）號(hào): CN105272174A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張旭源;黃進(jìn)順
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鉅亨電子材料元件有限公司
• 主分類號(hào): C04B35/10
• 分類號(hào): C04B35/10;C04B35/622
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種多晶系透明陶瓷基材的制造方法，其特征在于其包括下列步驟：

提供配方材料，其中該配方材料是包括氧化鋁粉末及粉末狀燒結(jié)助劑；

形成漿料，其是將該配方材料與混和劑進(jìn)行混合以形成該漿料；

成型生胚體，其是將該漿料制作成該生胚體；以及

形成多晶系透明陶瓷基材，其是依序執(zhí)行進(jìn)行燒除工藝、進(jìn)行預(yù)燒工藝及進(jìn)行燒成工藝等子步驟，將該生胚體制造成為該多晶系透明陶瓷基材。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于其中該氧化鋁粉末的純度為4N，且平均粒徑不大于0.5微米。

3.如權(quán)利要求1或2所述的制造方法，其特征在于其中該粉末狀燒結(jié)助劑為氧化鎂粉末，其純度為4N且平均粒徑小于或等于0.5微米，又該氧化鎂粉末與該氧化鋁粉末的重量百分比為50ppm～3000ppm。

4.如權(quán)利要求1或2所述的制造方法，其特征在于其中該粉末狀燒結(jié)助劑為氧化鎂粉末及氧化鈦粉末的混合粉末，氧化鎂粉末及氧化鈦粉末的純度為4N且平均粒徑不大于0.5微米，又該氧化鎂粉末及該氧化鈦粉末加總的重量與該氧化鋁粉末的重量的重量百分比為50ppm～3000ppm。

5.如權(quán)利要求1的制造方法，其特征在于其中該混和劑為粘結(jié)劑、分散劑、塑化劑或溶劑，或前述二種以上的混和物，且其中該粘結(jié)劑為聚乙烯醇縮丁醛或壓克力溶劑。

6.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于其中該成型生胚體步驟是先以流延法成型技術(shù)將該漿料制作成至少一個(gè)生胚薄帶，再對(duì)該生胚薄帶進(jìn)行裁切、堆棧、加溫及加壓以成型該生胚體，又其中的加溫是將溫度升溫至攝氏50度～75度，加壓是將壓力升壓至2000psi～10000psi。

7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于其中該預(yù)燒工藝是在大氣爐中進(jìn)行，并且該生胚體是置放于該大氣爐中以氧化鋁或氧化鋯形成的透氣承載治具上。

8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于其中該預(yù)燒工藝是將該大氣爐中的溫度升高至介于攝氏900度～1100度間的溫度下進(jìn)行。

9.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于其中該燒成工藝是在具有氮?dú)浠旌蜌怏w的氣氛爐中進(jìn)行，并且該生胚體是置放于該氣氛爐中以氮化硼、鎢或鎢合金形成的承載治具上。

10.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于其中該燒成工藝是在壓力為0.5atm～1000atm、氮?dú)浠旌蜌怏w比例H₂/N₂＝0～25wt％及將溫度升高至介于攝氏1300度～2200度之下進(jìn)行。

11.如權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于所制成的該多晶系透明陶瓷基材，其厚度是介于0.15毫米～1.5毫米之間。

12.如權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于所制成的該多晶系透明陶瓷基材經(jīng)研磨拋光后的表面粗糙度是小于150奈米，且在厚度不大于0.2毫米時(shí)，其對(duì)可見光的透光率是為88％以上。

13.如權(quán)利要求1至13中的任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于其所制成的該多晶系透明陶瓷基材，其內(nèi)的晶粒的平均直徑是介于15微米～100微米之間。