[發明專利]發光二極管封裝結構

在審

• 申請號: 201410332560.7
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN104282823A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發明（設計）人: 李逸飛;何璨佑;徐世昌;林貞秀
• 申請（專利權）人: 光寶科技股份有限公司;光寶光電(常州)有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64
• 代理公司: 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355
• 代理人: 張雅軍

1.一種發光二極管封裝結構，包含一承載座、一黏著層、一高電壓發光二極管晶粒，及一封裝件；其特征在于：

該承載座具有一承載空間，該承載空間定義一光學中心，該黏著層包括多個熱傳導粒子，且該黏著層的熱導率大于或等于1W/mK，高電壓發光二極管晶粒經由該黏著層以設置在該承載空間內，且包括一頂面及至少一形成于該頂面且位置對應于該承載空間的該光學中心處的溝槽，該高電壓發光二極管晶粒的驅動電壓介于5伏特到7伏特間，該封裝件封裝該高電壓發光二極管晶粒，其中，該高電壓發光二極管晶粒的該溝槽是嵌合在該封裝件內，且該溝槽的寬度范圍介于1微米到10微米間，該溝槽的深度小于或等于50微米。

2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該封裝件的頂面到該高電壓發光二極管晶粒頂面的最大距離小于0.5毫米。

3.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該高電壓發光二極管晶粒還包括四個側面，且至少一側面到該承載座外周緣的最大距離小于或等于1毫米。

4.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該黏著層是由具有所述熱傳導粒子的高分子材料所制成，所述熱傳導粒子選自由氧化鋅、氧化鋁或其混合所組成的群體，該黏著層的厚度范圍介于0.5微米到8微米間。

5.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該封裝件包括一漫射體，該漫射體是由質量中值直徑小于或等于100納米的粒子所組成。

6.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該黏著層的熱導率范圍介于1W/mK到20W/mK間。

7.一種發光二極管封裝結構，包含一承載座、一黏著層、一高電壓發光二極管晶粒，及一封裝件；其特征在于:

該承載座包括一反射器及一引線框架，該引線框架具有一第一金屬導電架，及一與該第一金屬導電架相間隔設置的第二金屬導電架，該第一金屬導電架、該第二金屬導電架及該反射器相配合界定出一承載空間，該第一金屬導電架與該第二金屬導電架分別具有一頂面，該第一、二金屬導電架的頂面具有一與該反射器相接合的接合區，及至少一形成于該接合區上且與該反射器相接合的接合槽，該黏著層包括多個熱傳導粒子，該高電壓發光二極管晶粒經由該黏著層以設置在該承載空間內，該高電壓發光二極管晶粒包括一頂面及至少一形成于該高電壓發光二極管晶粒的頂面且位置對應于該承載空間的光學中心處的溝槽，該高電壓發光二極管晶粒的驅動電壓的范圍介于5伏特到7伏特間，該封裝件封裝該高電壓發光二極管晶粒，其中，該發光二極管晶粒的溝槽嵌合在該封裝件內，且該溝槽的寬度范圍介于1微米到10微米間，該溝槽的深度小于或等于50微米。

8.如權利要求7所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該第一金屬導電架和該第二金屬導電架分別具有至少一接合槽，該第一金屬導電架的該接合槽及該第二金屬導電架的該接合槽環繞該承載座的該承載空間。

9.如權利要求7所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該反射器具有一介于該第一金屬導電架與該第二金屬導電架的絕緣區，該第一金屬導電架還具有一朝該第二金屬導電架方向延伸，且與該絕緣區緊密接合的第一連接部，該第二金屬導電架還具有一朝該第一金屬導電架方向延伸，且與該絕緣區緊密接合的第二連接部。

10.如權利要求9所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該第二金屬導電架具有兩個第二連接部，并具有一由所述第二連接部間定義出的凹陷部，該凹陷部的位置對應于該第一金屬導電架的第一連接部。

11.如權利要求9所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該第一金屬導電架的該第一連接部與該第二金屬導電架的該第二連接部分別具有一與該絕緣區緊密接合的彎曲的接合面。