[發明專利]半導體器件和用于制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201410332369.2
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN104347697A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 中山達峰;金澤全彰;岡本康宏;井上隆;宮本廣信;根賀亮平
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/45;H01L21/335;H01L21/28
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種半導體器件，包括：

氮化物半導體層；

Al_xGa_(1-x)N層，所述Al_xGa_(1-x)N層被形成在GaN層上，在所述Al_xGa_(1-x)N層中，p型雜質的濃度和n型雜質的濃度都是1×10¹⁶cm^-3或者更低，其中0<x≤0.2；以及

Al電極，所述Al電極被形成在所述Al_xGa_(1-x)N層上。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述p型雜質沒有被包含在所述Al_xGa_(1-x)N層中。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述Al電極與所述Al_xGa_(1-x)N層歐姆接觸。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中，所述GaN層是溝道層，

其中，所述Al_xGa_(1-x)N層是電子供應層，

其中，所述Al電極是源電極和漏電極中的至少一個，并且

其中，所述半導體器件進一步包括：

柵極絕緣膜，所述柵極絕緣膜與所述Al_xGa_(1-x)N層接觸，并且由氧化鋁制成；和

柵電極，所述柵電極與所述柵極絕緣膜接觸。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述Al電極包含Si、Ca以及Cu中的至少一種。

6.一種用于制造半導體器件的方法，包括：

在Al_xGa_(1-x)N層上直接地形成Al電極，在所述Al_xGa_(1-x)N層中，p型雜質的濃度和n型雜質的濃度都是1×10¹⁶cm^-3或者更低，其中0<x≤0.2；并且

在470℃或者更高，將所述Al電極退火。

7.根據權利要求6所述的方法，

其中，在將所述Al電極退火的步驟中的退火溫度被設定為600℃或者更低。

8.根據權利要求7所述的方法，

其中，在將所述Al電極退火的步驟中，將所述Al電極退火10分鐘或者更長。

9.根據權利要求8所述的方法，

其中，所述Al_xGa_(1-x)N層被形成在形成溝道層的GaN層上，

其中，所述Al_xGa_(1-x)N層是電子供應層，

其中，所述Al電極是源電極和漏電極中的至少一個，并且

其中，所述方法進一步包括：

形成柵極絕緣膜和柵電極，所述柵極絕緣膜與所述Al_xGa_(1-x)N層接觸并且由氧化鋁制成，所述柵電極與所述柵極絕緣膜接觸。