[發(fā)明專利]半導體器件和制造半導體器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410332368.8
• 申請日: 2014-07-14
• 公開（公告）號: CN104835743B
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發(fā)明（設計）人: 林健智;洪隆杰;王智麟;張嘉德
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在襯底中形成兩個隔離結構以在所述襯底中限定位于所述兩個隔離結構之間的鰭結構；

形成橋接所述兩個隔離結構并位于所述鰭結構上方的偽柵極和間隔件；

利用所述偽柵極和所述間隔件作為掩膜來蝕刻所述兩個隔離結構，以在所述兩個隔離結構中形成在所述間隔件下面的多個斜坡；

形成覆在所述多個斜坡上的柵極蝕刻停止層；

去除所述偽柵極和所述偽柵極下面的所述兩個隔離結構，以產(chǎn)生由所述間隔件和所述柵極蝕刻停止層所界定的空腔；以及

在所述空腔中形成柵極。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述多個斜坡各自具有與所述偽柵極的邊緣對齊的邊緣。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，形成覆在所述多個斜坡上的柵極蝕刻停止層還包括在所述間隔件上方形成柵極蝕刻停止層。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，形成覆在所述多個斜坡上的柵極蝕刻停止層還包括形成覆蓋所述鰭結構的柵極蝕刻停止層。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括：在去除所述偽柵極和所述偽柵極下面的所述兩個隔離結構之前，形成覆蓋所述間隔件和所述柵極蝕刻停止層的絕緣層。

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中，還包括：在去除所述偽柵極和所述偽柵極下面的所述兩個隔離結構之前，形成覆蓋所述偽柵極、所述鰭結構和所述絕緣層的接觸蝕刻停止層(CESL)。

7.根據(jù)權利要求6所述的方法，還包括：

形成覆蓋所述接觸蝕刻停止層的層間介電(ILD)層；以及

在去除所述偽柵極和所述偽柵極下面的所述兩個隔離結構之前，拋光所述層間介電層和所述接觸蝕刻停止層以暴露所述偽柵極的上表面。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，形成覆在所述多個斜坡上的柵極蝕刻停止層通過沉積覆在所述多個斜坡上的介電材料來進行，其中，所述介電材料包括氮化硅、碳氮化硅或它們的組合。

9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，在所述空腔中形成柵極通過在所述空腔中沉積含金屬材料來進行。

10.一種半導體器件，包括：

襯底；

所述襯底上方的鰭結構；

所述襯底上方的兩個隔離結構，所述鰭結構位于所述兩個隔離結構之間，其中，所述兩個隔離結構各自具有凹槽部分和鄰近所述凹槽部分的兩側的兩個斜坡部分，所述凹槽部分構造成暴露所述鰭結構的兩側的部分；

橫跨所述鰭結構并位于所述鰭結構和所述兩個隔離結構的凹槽部分上方的柵極，其中，所述柵極具有上部部分和兩個下部部分，所述兩個下部部分位于所述兩個隔離結構的凹槽部分上方并接觸所述鰭結構的兩側的部分，所述上部部分位于所述鰭結構上方并橋接所述兩個下部部分；

位于所述柵極的上部部分的兩側上方的兩個間隔件；以及

柵極蝕刻停止層，位于所述兩個間隔件下面、在所述兩個隔離結構的斜坡部分上方并接觸所述柵極的兩個下部部分各自的兩側的部分。

11.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中，所述柵極蝕刻停止層從所述兩個隔離結構的斜坡部分延伸至所述柵極的兩個下部部分各自的兩側的部分。

12.根據(jù)權利要求11所述的半導體器件，其中，所述柵極蝕刻停止層進一步延伸至所述兩個間隔件的底面。

13.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中，所述柵極的兩個下部部分各自的最大寬度小于或等于所述柵極的上部部分的寬度與所述兩個間隔件的底部寬度之和。

14.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中，所述兩個隔離結構的斜坡部分各自的最大高度小于所述鰭結構的高度。

15.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中，所述柵極蝕刻停止層具有與所述柵極的上部部分的邊緣對齊的邊緣。

16.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中，所述柵極蝕刻停止層進一步覆蓋所述兩個間隔件的外表面。

17.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中，所述柵極蝕刻停止層進一步覆蓋所述鰭結構的兩側的其他部分。