[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及制造半導(dǎo)體元件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410332343.8
• 申請(qǐng)日: 2014-07-11
• 公開（公告）號(hào): CN104465764B
• 公開（公告）日: 2019-09-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金榮載
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美格納半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓芳;譚昌馳

提供一種半導(dǎo)體元件和制造半導(dǎo)體元件的方法。半導(dǎo)體元件包括具有溝槽的有源區(qū)、在有源區(qū)外側(cè)的端子區(qū)、設(shè)置在有源區(qū)和端子區(qū)之間的過渡區(qū)，過渡區(qū)包括內(nèi)側(cè)溝槽，其中，中心多晶硅電極設(shè)置在有源區(qū)的溝槽中的至少一個(gè)溝槽的內(nèi)，至少兩個(gè)柵極多晶硅電極鄰近于中心多晶硅電極的上部設(shè)置，p?本體區(qū)設(shè)置在溝槽的上部之間，源區(qū)設(shè)置在柵極多晶硅電極的側(cè)面。

本申請(qǐng)要求于2013年9月12日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0109440號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的權(quán)益，該申請(qǐng)的全部公開通過各種目的的引用包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

下面的描述涉及一種半導(dǎo)體元件和一種制造該半導(dǎo)體元件的方法，并且涉及一種三多晶硅(triple poly)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件和一種制造該半導(dǎo)體元件的方法。

背景技術(shù)

三多晶硅結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件在一個(gè)溝槽中具有多個(gè)柵極多晶硅(gate poly)和一個(gè)中心多晶硅(center poly)。

由于在對(duì)中心多晶硅的上部和p-本體區(qū)(p-body region)的上部進(jìn)行接觸蝕刻的工藝過程中，在利用單獨(dú)的掩模形成通孔之后，通孔可以與頂部金屬連接，因此這種半導(dǎo)體元件和制造該半導(dǎo)體元件的方法的局限性在于整個(gè)工藝復(fù)雜。

此外，如果照例通過單獨(dú)的掩模對(duì)上部金屬執(zhí)行接觸工藝，則發(fā)生因此導(dǎo)致的嚴(yán)重的金屬差異，因此，可能會(huì)對(duì)后續(xù)工藝之后進(jìn)行的工藝帶來大量的困難。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明內(nèi)容用于以簡(jiǎn)化的形式介紹下面在具體實(shí)施方式中進(jìn)一步描述的概念的選擇。本發(fā)明內(nèi)容不意圖確定要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或重要特征，也不意圖用于幫助確定要求保護(hù)的主題的范圍。

在一個(gè)總體方面，半導(dǎo)體元件包括具有溝槽的有源區(qū)、在有源區(qū)外側(cè)的端子區(qū)、設(shè)置在有源區(qū)和端子區(qū)之間的過渡區(qū)，過渡區(qū)包括內(nèi)側(cè)溝槽，其中，中心多晶硅電極設(shè)置在有源區(qū)的溝槽中的至少一個(gè)溝槽內(nèi)，至少兩個(gè)柵極多晶硅電極鄰近于中心多晶硅電極的上部設(shè)置，p-本體區(qū)設(shè)置在溝槽的上部之間，源區(qū)設(shè)置在柵極多晶硅電極的側(cè)面。

有源區(qū)、過渡區(qū)和端子區(qū)可以設(shè)置在基底中，端子區(qū)可以不包括溝槽。

半導(dǎo)體元件的總體方面還可以包括從過渡區(qū)的內(nèi)側(cè)溝槽延伸到端子區(qū)的延伸的柵極多晶硅電極。

源極金屬可以電連接中心多晶硅電極和源區(qū)。柵極金屬可以電連接延伸的柵極多晶硅電極。源極金屬可以大體上與柵極金屬共面。

源極金屬可以通過通孔電連接中心多晶硅電極和源區(qū)。

源極金屬可以包括鋁，通孔可以包含鎢，包括鈦或氮化鈦的勢(shì)壘金屬可以設(shè)置在源極金屬和通孔的底表面處。

包括高溫低壓沉積(HLD)氧化物膜和硼磷硅酸鹽(BPSG)膜的絕緣膜可以設(shè)置在通孔之間。

等電位環(huán)金屬可以設(shè)置成在端子區(qū)的外圍處與源極金屬和柵極金屬大體上共面。

溝道阻絕區(qū)可以設(shè)置在基底的位于等電位環(huán)金屬下方的表面處。

等電位環(huán)金屬可以被構(gòu)造成通過經(jīng)由貫穿溝道阻絕區(qū)的通孔與基底連接來等電位。

溝道阻絕區(qū)可以是n+區(qū)。

氧化物層可以設(shè)置在延伸的柵極多晶硅電極下。

氧化物層可以從有源區(qū)的溝槽中的至少一個(gè)溝槽處延伸到端子區(qū)。

中心多晶硅電極可以設(shè)置在過渡區(qū)的內(nèi)側(cè)溝槽中，柵極多晶硅電極設(shè)置在過渡區(qū)的在比端子區(qū)更靠近有源區(qū)的區(qū)域中的內(nèi)側(cè)溝槽中。

源區(qū)可以沒有設(shè)置在與形成在內(nèi)側(cè)溝槽中的柵極多晶硅電極共享的p-本體區(qū)處。

p+區(qū)可以設(shè)置在通孔的底表面處。