[發明專利]光隔離器

有效

• 申請號: 201410332275.5
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN104280901B
• 公開（公告）日: 2017-03-22
• 發明（設計）人: 矢作晃;渡邊聰明;牧川新二
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: G02F1/09
• 分類號: G02F1/09
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司11280
• 代理人: 王勇,王博

1.一種600nm～800nm波長范圍用的光隔離器，該光隔離器由法拉第轉子和配置在該法拉第轉子外周的中空磁鐵構成，所述法拉第轉子由包含99％以上的下式(I)所示的氧化物的氧化物材料組成，并且，在633nm波長的費爾德常數為0.90min/(Oe·cm)以上，其特征在于，配置有法拉第轉子的長L(cm)處于下述式(1)的范圍內，對所述法拉第轉子施加的磁通密度B(Oe)處于下述式(2)的范圍內,

(Tb_xR_1-x)₂O₃???(I)

在上式(I)中，x為0.5≦x≦1.0；R包含選自由鈧、釔和除Tb以外的鑭系元素組成的群組中的至少一種以上的元素。

0.6≦L≦1.1???(1)

B≦0.5×10⁴???(2)

2.如權利要求1所述的光隔離器，其特征在于，所述氧化物為單晶體或陶瓷。

3.如權利要求1或權利要求2所述的光隔離器，其特征在于，所述法拉第轉子在樣品長為所述L(cm)時，具有1dB以下的插入損耗和30dB以上的消光比。

4.如權利要求1～3中任一項所述的光隔離器，其特征在于，所述中空磁鐵包含釹-鐵-硼(NdFeB)系磁鐵。