[發明專利]發光器件及發光器件封裝

在審

• 申請號: 201410332104.2
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN104300054A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發明（設計）人: 崔榮宰;崔宰熏
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/14
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;李玉鎖

1.一種發光器件，包括：

發光結構，包括多個化合物半導體層；

電流擴散層，在所述發光結構下方；

多個波長轉換結構，在所述電流擴散層中；以及

電極，在所述發光結構上。

2.根據權利要求1所述的發光器件，還包括：

電極層，在所述電流擴散層下方；

溝道層，在所述發光結構的外圍區域下方；

粘接層，在所述電極層下方；以及

支撐構件，在所述粘接層下方。

3.根據權利要求2所述的發光器件，其中所述電流擴散層與所述溝道層的一部分重疊。

4.根據權利要求2所述的發光器件，其中所述粘接層包圍所述電流擴散層和所述電極層中的至少一個。

5.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述電流擴散層包括石墨烯片。

6.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述波長轉換結構被所述電流擴散層包圍。

7.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述多個波長轉換結構具有彼此不同的直徑。

8.根據權利要求7所述的發光器件，其中取決于所述多個波長轉換結構的多個直徑，從所述發光結構產生的光具有彼此不同的波長。

9.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述發光結構產生紫外線，并且由所述多個波長轉換結構將所述紫外線轉換成具有彼此不同的波長的可見光。

10.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述電極層包括電極和反射層中的至少一個。

11.根據權利要求10所述的發光器件，其中所述電極層包括選自由以下構成的群組中的至少一個：Au、Ti、Ni、Cu、Al、Cr、Ag和Pt。

12.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述波長轉換結構包括CdSe、CdSe/ZnS、CdTe/CdS、PbS和PuSe之一。

13.根據權利要求12所述的發光器件，其中所述波長轉換結構包括CdSe，并且具有1.9nm到6.7nm范圍內的直徑。

14.根據權利要求12所述的發光器件，其中所述波長轉換結構包括CdSe/ZnS，并且具有2.9nm到6.1nm范圍內的直徑。

15.根據權利要求12所述的發光器件，其中所述波長轉換結構包括CdSe/CdS，并且具有3.7nm到4.8nm范圍內的直徑。

16.根據權利要求12所述的發光器件，其中所述波長轉換結構包括PbS，并且具有2.3nm到2.9nm范圍內的直徑。

17.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述波長轉換結構具有內核-外膜結構。

18.根據權利要求2所述的發光器件，其中所述溝道層包括選自由以下構成的群組中的至少一個：SiO₂、SiO_x、SiO_xN_y、Si₃N₄和Al₂O₃。

19.根據權利要求1所述的發光器件，還包括：

襯底，在所述發光結構上。

20.根據權利要求14所述的發光器件，還包括：

電極層，在所述電流擴散層下方。