[發(fā)明專利]一種低阻抗限流式抗高壓保護(hù)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410331925.4 | 申請(qǐng)日： | 2014-07-14 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104078966B | 公開（公告）日： | 2018-09-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 姚治貢 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 余姚市勁儀儀表有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H02H9/04 | 分類號(hào)： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京東方匯眾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11296 | 代理人： | 張淑賢 |
| 地址： | 315400 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 阻抗 限流 高壓 保護(hù) 電路 | ||
1.一種低阻抗限流式抗高壓保護(hù)電路，其特征在于，包括串接在輸入端和輸出端之間的第一開關(guān)管(1)和第二開關(guān)管(2)；
一電流檢測(cè)反饋電路接在所述第一開關(guān)管(1)和第二開關(guān)管(2)之間，用于檢測(cè)通過的電流并將電流轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)反饋給限流控制裝置；
一限流控制裝置與所述電流檢測(cè)反饋電路、第一開關(guān)管(1)和第二開關(guān)管(2)相連接；
所述第一開關(guān)管(1)和第二開關(guān)管(2)正常工作時(shí)以低阻態(tài)將輸入信號(hào)傳遞到輸出端，一旦輸出端不慎對(duì)地短路或誤接高電壓，開關(guān)管快速轉(zhuǎn)為恒流高阻態(tài)并將輸入端和輸出端之間的電壓安全阻斷；
所述限流控制裝置，用于根據(jù)所述電流檢測(cè)反饋電路所反饋的電壓信號(hào)輸出控制信號(hào)，使所述第一開關(guān)管(1)或第二開關(guān)管(2)處于低阻態(tài)或恒流高阻態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低阻抗限流式抗高壓保護(hù)電路，其特征在于，所述限流控制裝置將所述第一開關(guān)管(1)在輸入正電流超過范圍時(shí)將其轉(zhuǎn)為恒流高阻態(tài)；將所述第二開關(guān)管(2)在輸入負(fù)電流超過范圍時(shí)將電路轉(zhuǎn)為恒流高阻態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低阻抗限流式抗高壓保護(hù)電路，其特征在于，所述限流控制裝置將所述第一開關(guān)管(1)在通過電流超過范圍時(shí)轉(zhuǎn)為可變阻狀態(tài)，所述第二開關(guān)管(2)轉(zhuǎn)為恒流高阻態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低阻抗限流式抗高壓保護(hù)電路，其特征在于，所述限流控制裝置包括一運(yùn)放以及為所述低阻抗限流式抗高壓保護(hù)電路供電的獨(dú)立供電電源，該電源相對(duì)于輸入電壓浮動(dòng)；
所述運(yùn)放的同相輸入端經(jīng)電阻分壓電路與所述供電電源相連接，調(diào)節(jié)電阻參數(shù)可設(shè)定其輸入電壓信號(hào)；所述運(yùn)放的反相輸入端疊加所述電流檢測(cè)反饋電路的反饋電壓信號(hào)，所述運(yùn)放根據(jù)該反饋電壓信號(hào)控制其輸出端輸出所述控制信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的低阻抗限流式抗高壓保護(hù)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管(1)或第二開關(guān)管(2)為MOSFET管，所述控制信號(hào)通過控制MOSFET管柵極的偏壓使其處于低阻態(tài)或恒流高阻態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低阻抗限流式抗高壓保護(hù)電路，其特征在于，所述運(yùn)放在反饋電壓信號(hào)低于同相端輸入電壓時(shí)，運(yùn)放輸出提供足夠高的柵極偏置電壓使開關(guān)管處于完全導(dǎo)通狀態(tài)；在反饋電壓信號(hào)達(dá)到同相端輸入電壓時(shí)，運(yùn)放輸出電壓下降，降低了開關(guān)管柵極偏置電壓，開關(guān)管導(dǎo)通電阻上升，使限流電阻上電壓維持在運(yùn)放輸入的設(shè)定電壓左右。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低阻抗限流式抗高壓保護(hù)電路，其特征在于，所述限流控制裝置還包括快速三極管，該三極管在輸入信號(hào)快速上升時(shí)，能快速導(dǎo)通并將MOSFET柵極電壓降下來，從而讓MOSFET高速進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低阻抗限流式抗高壓保護(hù)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管(1)和第二開關(guān)管(2)為N溝道MOSFET，和其配合為快速NPN三極管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低阻抗限流式抗高壓保護(hù)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管(1)和第二開關(guān)管(2)為P溝道MOSFET，和其配合為快速PNP三極管。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低阻抗限流式抗高壓保護(hù)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管(1)和第二開關(guān)管(2)為N溝道和P溝道MOSFET混搭，和其配合為快速NPN和PNP三極管混搭。
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