[發明專利]顯示單元、顯示單元的制造方法和電子裝置有效
| 申請號: | 201410331494.1 | 申請日: | 2014-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN104299980B | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發明(設計)人: | 山北茂洋 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本有機雷特顯示器 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 第二基板 發光器件 第一基板 電子裝置 外圍電極 顯示區域 電連接 配線 第一連接部 第二電極 第一電極 有機層 配置 制造 | ||
本發明公開了顯示單元、顯示單元的制造方法和電子裝置,顯示單元包括:包括顯示區域中的多個發光器件的第一基板,所述多個發光器件各自包括第一電極與第二電極之間的有機層;被設置成面向第一基板的第二基板,所述發光器件介于第一基板與第二基板之間;設置在第二基板上并定位在顯示區域外側的第一外圍電極;設置在第二基板上并被配置成電連接至第一外圍電極的第一配線;以及被配置成將第一配線和發光器件的每一個電連接的第一連接部。
相關申請的交叉引用
本申請要求2013年7月19日提交的日本優先權專利申請JP2013-150640的權益,該申請的全部內容通過引用并入本文。
技術領域
本技術涉及一種包括發光器件諸如有機電致發光(EL)器件的顯示單元,以及顯示單元的制造方法和電子裝置。
背景技術
近年來,作為一種純平顯示器,使用有機EL器件等的顯示器一直受到人們的關注(例如,參見日本未經審查的專利申請公開案No.2001-195008和No.2011-103205,以及日本專利No.4333333)。此自發光型顯示器具有低功耗和寬廣的視角的特征。此外,有機EL器件被認為足以響應于高清高速視頻信號,并且一直在朝實際應用發展。這些顯示器主要是有源矩陣(AM)型,并且每個像素例如可以使用薄膜晶體管(TFT)進行控制。
與此同時,顯示彩色的自發光型顯示器主要采用以下兩種方法進行制造。在第一種方法中,各自發出紅顏色、綠顏色或藍顏色的器件的有機層被上色以具有不同顏色。濾色器可以設置在每個像素中,以提高顏色純度。在第二種方法中,形成了共用于所有發光器件的有機層。在采用該方法制造的顯示單元中,在白光被允許穿過各自具有為相應像素設置的紅顏色、綠顏色或藍顏色的濾色器之后,提取由發光器件發出的白光。例如,紅色、綠色和藍色的發光層可以被層壓并被設置成共用有機層。可選地,黃色和藍色的發光層可以被層壓并被設置成共用有機層。在第二種方法中,不需要用不同顏色給有機層上色,因此第二種方法比上述第一種方法更簡單。
發明內容
然而,期望以低成本簡單制造自發光型顯示器。
期望提供一種能夠進一步降低成本的顯示單元,以及顯示單元的制造方法和設置有該顯示單元的電子裝置。
根據本技術的實施方式,提供了一種顯示單元的制造方法,所述方法包括:在第一基板上形成顯示區域中的多個發光器件,所述多個發光器件各自包括第一電極與第二電極之間的有機層;在第二基板上形成第一配線和第一外圍電極,所述第一外圍電極設置在顯示區域外側并電連接至第一配線;以及將第二基板設置成面向第一基板,所述發光器件介于其間,并通過第一連接部將第一配線電連接至發光器件的每一個。
在根據本技術的上述實施方式的顯示單元的制造方法中,第一外圍電極形成在第二基板上。因此,允許減少在形成發光器件時要使用的掩模的數量。第一外圍電極例如可以通過第一配線和第一連接部電連接至發光器件的第二電極。
根據本技術的實施方式,提供了一種顯示單元,包括:包括顯示區域中的多個發光器件的第一基板,所述多個發光器件各自包括第一電極與第二電極之間的有機層;被設置成面向第一基板的第二基板,所述發光器件介于其間;設置在第二基板上并定位在顯示區域外側的第一外圍電極;設置在第二基板上并被配置成電連接至第一外圍電極的第一配線;以及被配置成電連接第一配線和發光器件的每一個的第一連接部。
根據本技術的實施方式,提供了一種電子裝置,包括:顯示單元。所述顯示單元包括:包括顯示區域中的多個發光器件的第一基板,所述多個發光器件各自包括第一電極與第二電極之間的有機層,被設置成面向第一基板的第二基板,所述發光器件介于其間,設置在第二基板上并定位在顯示區域外側的第一外圍電極,設置在第二基板上并被配置成電連接至第一外圍電極的第一配線,以及被配置成電連接第一配線和發光器件的每一個的第一連接部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





