[發(fā)明專利]還原氧化石墨烯電路及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410331452.8
• 申請(qǐng)日: 2014-07-11
• 公開（公告）號(hào): CN105313400A
• 公開（公告）日: 2016-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 容錦泉;林海明;蔡恒生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 納米及先進(jìn)材料研發(fā)院有限公司
• 主分類號(hào): B32B17/06
• 分類號(hào): B32B17/06;B32B33/00;C03C17/34;C04B41/52
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 浦彩華;遲姍

1.一種還原氧化石墨烯電路，包括：

襯底；

形成在該襯底上的至少一個(gè)親水層；

形成在該親水層上的至少一個(gè)氧化石墨烯層；和

形成在該氧化石墨烯層上的至少一個(gè)還原氧化石墨烯圖案。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原氧化石墨烯電路，其中該襯底包含玻璃或硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原氧化石墨烯電路，其中該襯底是透明的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原氧化石墨烯電路，其中該親水層是硅烷醇層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原氧化石墨烯電路，其中該親水層包含孿位基團(tuán)、連位無水基團(tuán)、連位含水基團(tuán)或它們的組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原氧化石墨烯電路，其中該親水層厚度約為0.1nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原氧化石墨烯電路，其中該氧化石墨烯層厚度約為12.2nm。

8.一種制備還原氧化石墨烯電路的方法，包括：

提供襯底；

在該襯底上形成至少一個(gè)親水層；

在親水層上形成至少一個(gè)氧化石墨烯層；和

通過激光將一部分氧化石墨烯層還原成還原氧化石墨烯，以在該氧化石墨烯層上形成至少一個(gè)還原氧化石墨烯圖案。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中該襯底包含玻璃或硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中該親水層是通過氫離子與襯底表面的化學(xué)反應(yīng)形成的。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中該親水層是通過應(yīng)用食人魚溶液與襯底表面反應(yīng)形成的。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中該食人魚溶液包含約2：1的體積比的硫酸和過氧化氫溶液。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中形成氧化石墨烯層的步驟進(jìn)一步包括：

提供氧化石墨烯溶液；

在親水層上旋涂氧化石墨烯溶液；和

干燥親水層上的氧化石墨烯溶液。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中該氧化石墨烯溶液包含溶解在水中的0.5至5μm尺寸的石墨烯薄片。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中在親水層上旋涂氧化石墨烯溶液的步驟進(jìn)一步包括400至700rpm的旋轉(zhuǎn)速度。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中在親水層上旋涂氧化石墨烯溶液的步驟進(jìn)一步包括650至700rpm的旋轉(zhuǎn)速度。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中在親水層上旋涂氧化石墨烯溶液的步驟進(jìn)一步包括475至525rpm的旋轉(zhuǎn)速度。

18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中在親水層上旋涂氧化石墨烯溶液的步驟進(jìn)一步包括約為500rpm的旋轉(zhuǎn)速度。

19.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中激光是納秒激光或約248nm波長(zhǎng)的準(zhǔn)分子激光。

20.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中將一部分氧化石墨烯層還原成還原的氧化石墨烯的步驟是在下面的條件下進(jìn)行的，該條件包括：激光是準(zhǔn)分子激光，具有約248nm波長(zhǎng)、20ns的脈沖持續(xù)時(shí)間、0.8×0.8mm²的斑點(diǎn)尺寸、1Hz的重復(fù)速率和-3.5cm的散焦距。