[發明專利]一種低溫、自組織生長非晶碳雜合單晶納米石墨的制備方法有效
| 申請號： | 201410331290.8 | 申請日： | 2014-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN104099661A | 公開（公告）日： | 2014-10-15 |
| 發明（設計）人： | 王欣;劉吉悅;王贊;鄭偉濤;高麗 | 申請（專利權）人： | 吉林大學 |
| 主分類號： | C30B25/00 | 分類號： | C30B25/00;C30B29/02;C23C16/22 |
| 代理公司： | 長春吉大專利代理有限責任公司 22201 | 代理人： | 朱世林;王壽珍 |
| 地址： | 130012 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 組織 生長 非晶碳雜合單晶 納米 石墨 制備 方法 | ||
1.一種低溫、自組織生長非晶碳雜合單晶納米石墨的制備方法，其特征在于，該發明包括如下步驟：
1)利用PECVD方法，將襯底材料放入反應腔體中，在預定溫度、壓強條件下，置于具有一定比例的碳源氣體、氬氣中進行化學氣相沉積；
所述襯底包括玻璃、碲鎘汞(MCT)、鈦合金、銅箔、硅片、不銹鋼基體或樹脂材料常用材料；
所述預定溫度在800℃以下；
所述壓強在500Pa以下；
2)反應結束后，通保護氣體冷卻至室溫。
2.如權利要求書1所述的低溫、自組織生長非晶碳雜合單晶納米石墨的制備方法，其特征在于，所述襯底選單晶n-Si(100)。
3.如權利要求書1所述的低溫、自組織生長非晶碳雜合單晶納米石墨的制備方法，其特征在于，所述預定溫度選選100℃。
4.如權利要求書1所述的低溫、自組織生長非晶碳雜合單晶納米石墨的制備方法，其特征在于，所述壓強選400Pa。
5.如權利要求書1所述的低溫、自組織生長非晶碳雜合單晶納米石墨的制備方法，其特征在于，步驟1)中所述的兩種反應氣體的流量配比為：碳源氣體/氬氣＝10/1，單位為sccm；碳源氣體為烴類氣體。
6.如權利要求書1所述的低溫、自組織生長非晶碳雜合單晶納米石墨的制備方法，其特征在于，所述碳源氣體/氬氣，選50/5，所述碳源氣體選甲烷(CH4)。
7.如權利要求書1所述的低溫、自組織生長非晶碳雜合單晶納米石墨的制備方法，其特征在于，步驟2)中的保護氣體選氬氣。
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