[發(fā)明專利]薄膜沉積裝置和使用該薄膜沉積裝置的薄膜沉積方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410331197.7 | 申請日： | 2014-07-11 |
| 公開（公告）號： | CN104419892A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李在哲 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/04 | 分類號： | C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 劉燦強;譚昌馳 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 沉積 裝置 使用 方法 | ||
1.一種薄膜沉積裝置，其特征在于，包括：
掩模，與基底的第一表面接觸；
磁板，在基底的第二表面上方，并且被構(gòu)造成將掩模拉向基底的第一表面，基底的第二表面是與第一表面相反的表面；以及
絕緣構(gòu)件，在基底的第二表面與磁板之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，基中，絕緣構(gòu)件包括氟樹脂或聚二醚酮。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，其中，絕緣構(gòu)件覆蓋磁板的面向基底的第二表面的整個表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，其中，絕緣構(gòu)件覆蓋磁板的面向基底的第二表面的表面的一部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，其中，絕緣構(gòu)件具有網(wǎng)格形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，其中，磁板包括多個被填料包圍的磁體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，其中，磁板中的磁體按網(wǎng)格布置。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，其中，磁板中的磁體布置成重復(fù)圖案。
9.一種沉積薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：
準(zhǔn)備基底、掩模和磁板，基底位于室中，掩模與基底的第一表面接觸，磁板在絕緣構(gòu)件上，絕緣構(gòu)件在基底的與第一表面相反的第二表面上；以及
操作在室中準(zhǔn)備的沉積源，以通過掩模在基底的第一表面上形成薄膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，其中，形成在基底的第一表面上的薄膜包括用于有機發(fā)光顯示裝置的薄膜包封的有機層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，其中，絕緣構(gòu)件包括氟樹脂或聚二醚酮。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，其中，絕緣構(gòu)件覆蓋磁板的面向基底的第二表面的整個表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，其中，絕緣構(gòu)件覆蓋磁板的面向基底的第二表面的表面的一部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，其中，絕緣構(gòu)件具有網(wǎng)格形狀。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
