[發(fā)明專利]薄膜沉積裝置和使用該薄膜沉積裝置的薄膜沉積方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410331197.7
• 申請(qǐng)日: 2014-07-11
• 公開（公告）號(hào): CN104419892A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李在哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/04
• 分類號(hào): C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);譚昌馳

1.一種薄膜沉積裝置，其特征在于，包括：

掩模，與基底的第一表面接觸；

磁板，在基底的第二表面上方，并且被構(gòu)造成將掩模拉向基底的第一表面，基底的第二表面是與第一表面相反的表面；以及

絕緣構(gòu)件，在基底的第二表面與磁板之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，基中，絕緣構(gòu)件包括氟樹脂或聚二醚酮。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，其中，絕緣構(gòu)件覆蓋磁板的面向基底的第二表面的整個(gè)表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，其中，絕緣構(gòu)件覆蓋磁板的面向基底的第二表面的表面的一部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，其中，絕緣構(gòu)件具有網(wǎng)格形狀。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，其中，磁板包括多個(gè)被填料包圍的磁體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，其中，磁板中的磁體按網(wǎng)格布置。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，其中，磁板中的磁體布置成重復(fù)圖案。

9.一種沉積薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：

準(zhǔn)備基底、掩模和磁板，基底位于室中，掩模與基底的第一表面接觸，磁板在絕緣構(gòu)件上，絕緣構(gòu)件在基底的與第一表面相反的第二表面上；以及

操作在室中準(zhǔn)備的沉積源，以通過掩模在基底的第一表面上形成薄膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，其中，形成在基底的第一表面上的薄膜包括用于有機(jī)發(fā)光顯示裝置的薄膜包封的有機(jī)層。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，其中，絕緣構(gòu)件包括氟樹脂或聚二醚酮。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，其中，絕緣構(gòu)件覆蓋磁板的面向基底的第二表面的整個(gè)表面。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，其中，絕緣構(gòu)件覆蓋磁板的面向基底的第二表面的表面的一部分。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，其中，絕緣構(gòu)件具有網(wǎng)格形狀。