[發明專利]具有等離子體能力的半導體反應室

有效

• 申請號: 201410331047.6
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN104332427B
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: R·B·米利根;F·阿洛克塞
• 申請（專利權）人: ASMIP控股有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 高見

1.一種處理室，包括：

反應室，其具有處理區域；

處理氣體入口，其與所述處理區域連通；

第一受激發物質生成區，其與所述處理氣體入口連通；以及

第二受激發物質生成區，其與所述處理氣體入口連通，

閥，其被定位在所述第一受激發物質生成區和所述處理氣體入口之間，以及

另一個閥，其被定位在所述第二受激發物質生成區和所述處理氣體入口之間，

其中所述第一和第二受激發物質生成區選擇性地彼此連通。

2.如權利要求1所述的處理室，其特征在于，所述第一和第二受激發物質生成區彼此連通。

3.如權利要求1所述的處理室，其特征在于，所述處理室還包括入口歧管閥。

4.如權利要求1-3中的任一項所述的處理室，其特征在于，所述第一和第二受激發物質生成區是非同軸的。

5.如權利要求1-3中的任一項所述的處理室，其特征在于，所述第一和第二受激發物質生成區生成可燃性不相容的前驅物。

6.如權利要求1-3中的任一項所述的處理室，其特征在于，所述第一受激發物質生成區激發氟基化學物質并且所述第二受激發物質生成區激發氯基化學物質。

7.如權利要求1-3中的任一項所述的處理室，其特征在于，所述第一和第二受激發物質生成區還各自包括電感耦合等離子體發生器。

8.如權利要求7所述的處理室，其特征在于，所述第一和第二受激發物質生成區的電感耦合等離子體發生器被各自單獨地控制。

9.如權利要求1-3中的任一項所述的處理室，其特征在于，所述第一和第二受激發物質生成區還各自包括電容耦合等離子體發生器。

10.如權利要求9所述的處理室，其特征在于，所述第一和第二受激發物質生成區的電容耦合等離子體發生器被各自單獨地控制。

11.如權利要求1-3中的任一項所述的處理室，其特征在于，所述第一和第二受激發物質生成區至少部分地由氧化鋁或石英構成。

12.如權利要求1-3中的任一項所述的處理室，其特征在于，所述第一和第二受激發物質生成區用單線圈來激勵。

13.一種處理室，包括：

反應室，其具有處理區域；

處理氣體入口，其與所述處理區域連通；

第一受激發物質生成區，其與所述處理氣體入口連通；以及

第二受激發物質生成區，其與所述處理氣體入口連通，

其中閥被定位在所述第一受激發物質生成區和所述處理氣體入口之間。

14.一種處理室，包括：

反應室，其具有處理區域；

處理氣體入口，其與所述處理區域連通；

第一受激發物質生成區，其與所述處理氣體入口連通；以及

第二受激發物質生成區，其與所述處理氣體入口連通，

其中閥被定位在所述第二受激發物質生成區和所述處理氣體入口之間。

15.如權利要求1、13和14中任一項所述的處理室，其特征在于，所述第一和第二受激發物質生成區同軸對齊。

16.如權利要求15所述的處理室，其特征在于，所述處理室還包括定位在所述第一和第二受激發物質生成區之間的惰性氣體流。

17.如權利要求1、13和14中任一項所述的處理室，其特征在于，所述閥包括惰性氣體閥。