[發明專利]探測裝置

有效

• 申請號: 201410331001.4
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN104282592B
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發明（設計）人: 筱原榮一;山口顯治;八田政隆
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種探測裝置，其用于對形成于半導體晶片上且在兩面具有電極的功率器件的電特性進行檢查，所述探測裝置的特征在于，包括：

載置并支承所述半導體晶片的能夠移動的載置臺；

與所述載置臺相對地配置于所述載置臺的上方，對與露出在由所述載置臺支承的所述半導體晶片的正面的所述功率器件的正面側電極接觸的探針進行支承的探測卡；

將所述探針和測定器的對應的第一端子電連接的第一連接導體；

形成所述載置臺的載置面，與露出在由所述載置臺支承的所述半導體晶片的背面的所述功率器件的背側電極接觸的載置面導體；

安裝在所述載置臺上，與所述載置面導體電連接的能夠升降移動的接觸件；

包圍所述探針的周圍的導電性的接觸板，其在比所述探測卡低的位置且配置在所述載置臺的上方，使得能夠通過所述接觸板的下表面與所述接觸件接觸；

將所述接觸板和所述測定器的對應的第二端子電連接的第二連接導體；和

在進行所述功率器件的電特性的檢查時，為了在所述探針的周圍形成比大氣壓高的規定壓力的氣氛，經由所述接觸板的內部或附近對所述探針的周圍供給氣體的氣體供給機構。

2.如權利要求1所述的探測裝置，其特征在于：

所述氣體供給機構具有通過所述探測卡的周圍的氣體供給線路。

3.如權利要求2所述的探測裝置，其特征在于：

所述氣體供給線路穿過在所述探測卡的周邊以所述探測卡能夠裝卸的方式對所述探測卡進行支承的探測卡架。

4.如權利要求3所述的探測裝置，其特征在于：

在所述接觸板和所述探測卡架或者所述探測卡之間插入有密封部件。

5.如權利要求2～4中任一項所述的探測裝置，其特征在于：

所述氣體供給線路具有形成在所述接觸板的內部的氣體流路。

6.如權利要求1～4中任一項所述的探測裝置，其特征在于：

所述氣體供給機構具有設置在所述接觸板的與所述探針相對的內周面的第一氣體噴出口。

7.如權利要求1～4中任一項所述的探測裝置，其特征在于：

所述氣體供給機構具有設置在所述接觸板的下表面的第二氣體噴出口。

8.如權利要求1～4中任一項所述的探測裝置，其特征在于：

所述氣體供給機構具有設置在所述接觸板的上表面的第三氣體噴出口。

9.如權利要求1～4中任一項所述的探測裝置，其特征在于：

在所述接觸板的下表面設置有迷宮式密封件。

10.如權利要求9所述的探測裝置，其特征在于：

所述迷宮式密封件具有包圍所述探針的前端部的同心狀的多個迷宮式翅片。

11.如權利要求9所述的探測裝置，其特征在于：

所述迷宮式密封件設置成接近所述接觸板的與所述探針相對的內周面。

12.如權利要求9所述的探測裝置，其特征在于：

所述迷宮式密封件設置在從所述接觸板的下表面突出的隔壁的下表面。

13.如權利要求1～4中任一項所述的探測裝置，其特征在于：

在所述載置臺上設置有包圍所述半導體晶片的周圍的密封環。

14.如權利要求13所述的探測裝置，其特征在于：

所述密封環具有在所述載置臺上與所述半導體晶片成為一個面的厚度。

15.如權利要求1～4中任一項所述的探測裝置，其特征在于：

在進行所述功率器件的電特性的檢查時包圍所述探針并封閉所述接觸板和所述載置臺之間的縫隙的突起部，設置在所述接觸板或所述載置臺上。