[發明專利]基于透明質酸修飾的表面等離子共振儀芯片及其制備方法無效
| 申請號: | 201410330967.6 | 申請日: | 2014-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN104155453A | 公開(公告)日: | 2014-11-19 |
| 發明(設計)人: | 蘇榮欣;黃仁亮;劉霞;齊崴;何志敏 | 申請(專利權)人: | 天津大學 |
| 主分類號: | G01N33/68 | 分類號: | G01N33/68 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人: | 王麗 |
| 地址: | 300072 天*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 透明 修飾 表面 等離子 共振 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于透明質酸的表面等離子共振儀芯片;其特征是透明質酸修飾芯片的結構依次為玻璃層、鉻層、金膜層、巰基醇單分子層和透明質酸層組成。
2.如權利要求1所述的共振儀芯片;其特征是所述BK7玻璃層厚度為0.3-0.7毫米。
3.如權利要求1所述的共振儀芯片;其特征是所述鉻層厚度為2-3納米。
4.如權利要求1所述的共振儀芯片;其特征是所述金膜層厚度為45-50納米。
5.如權利要求1所述的共振儀芯片;其特征是所述巰基醇層為單分子層。
6.如權利要求1所述的共振儀芯片;其特征是所述透明質酸層厚度為6-15納米。
7.權利要求1的基于透明質酸的表面等離子共振儀芯片制備方法,其特征在于包括以下步驟:
a)裸金芯片制備
通過真空濺射在BK7玻璃基底上先涂覆2-3nm厚鉻層,再涂覆45-50nm厚金膜,獲得了裸金芯片;
b)裸金芯片預處理
將步驟a)獲得的裸金芯片浸入濃硫酸與雙氧水體積比1:0.4-1:1的混合溶液中,常溫下浸泡1-6h;然后取出用去離子水清洗直至表面無硫酸及雙氧水殘留,再用氮氣吹干;
c)巰基醇修飾
用無水乙醇配制濃度為5-10mM的11-巰基-1-十一醇溶液;將步驟b)獲得的裸金芯片浸入上述11-巰基-1-十一醇溶液中,常溫下浸泡6-15h后取出,在金膜表面形成了巰基醇自組裝單層;用乙醇和去離子水清洗直至未結合到金膜表面巰基醇被清洗干凈,再用氮氣吹干;
d)透明質酸修飾
1)用二乙二醇二甲醚配制濃度為0.6M的環氧氯丙烷溶液;將步驟c)獲得的芯片浸入上述環氧氯丙烷溶液中,常溫下浸泡2-8h后取出;用去離子水清洗掉殘留的環氧氯丙烷及二乙二醇二甲醚,再并用氮氣吹干;
2)用0.1M的氫氧化鈉溶液配制濃度為1-10mg/mL、分子量為10-2000kDa的透明質酸溶液;將步驟1)獲得的芯片浸入上述透明質酸溶液中,常溫下浸泡5-24h后取出;用去離子水洗掉未反應的透明質酸,并用氮氣吹干備用;
e)羧基化改性
用1M的氫氧化鈉溶液配制濃度為1M的溴乙酸溶液;將步驟d)獲得的芯片浸入上述溴乙酸溶液中,常溫下浸泡8-24h,在自組裝單層表面修飾了一層透明質酸層。用去離子水清洗并用氮氣吹干。
8.如權利要求7所述的方法,其特征是所述的金膜用銀膜、銀/金復合膜替換。
9.如權利要求7所述的方法,其特征是所述的透明質酸分子量為10-2000kDa,濃度為1-10mg/mL。
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