[發明專利]可溫控的浮動緩沖測試座

有效

• 申請號: 201410330727.6
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN105300872B
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: 吳信毅
• 申請（專利權）人: 致茂電子（蘇州）有限公司
• 主分類號: G01N17/00
• 分類號: G01N17/00
• 代理公司: 上海宏威知識產權代理有限公司31250
• 代理人: 袁輝

技術領域

本發明關于一種可溫控的浮動緩沖測試座，尤指一種適用于可提供高低溫測試的半導體晶片測試座。

背景技術

隨著對半導體晶片的耐候性的要求，越來越多的半導體晶片商要求出廠的晶片需經過高溫、或低溫測試，用以確保晶片在特定高溫、或特定低溫的環境下可正常運作。

然而，一般常見半導體晶片的高溫、或低溫測試所運用的原理不外乎對待測的半導體晶片進行升溫或降溫，其常見的檢測方式包括：預燒(Burn-in)測試，其將測試裝置連同待測半導體晶片置于一測試腔室中進行測試，而測試腔室內直接提供高溫或低溫環境，如臺灣第I384237號專利；另外，現有技術有以壓接頭對待測晶片升溫或降溫的方式，亦即待測晶片上方用于抵壓固定晶片的壓接頭，其本身就具備有升溫或降溫的溫控模組，如中國公開號第CN 1537217 A號；此外，現有技術也有測試座內直接以溫控流體(高溫氣體)對待測晶片進行升溫或降溫，如日本特開平5-121598。

再者，現有技術中也常見有直接具備變溫裝置的測試座，亦即以測試座直接對待測晶片進行升溫或降溫并進行測試，如中華民國第I364085號專利。然而，如前述具備變溫裝置的測試座的常見技術，其本身并不具備緩沖功效，亦即并不具備吸收晶片取放、以及壓接機構下壓的沖擊力的功效，故時常發生取放機構于取放過程或壓接機構于抵壓過程中因偏位或施力不良，導致不慎壓毀待測晶片的情形。

由此可知，同時具備溫控功能、以及吸收沖擊力道的緩沖功能，且更重要的是能提供優異的傳導效能的測試裝置或測試座，實乃產業界迫切需求的。

發明內容

本發明的主要目的是在提供一種可溫控的浮動緩沖測試座，使其能提供優異的溫度控制的傳導效能，且又能具備吸收沖擊力道的緩沖功效。

為達成上述目的，本發明一種可溫控的浮動緩沖測試座，主要包括一溫控臺、一溫控源、以及一浮動板。其中，溫控臺上表面開設有一凹槽，而凹槽的四環周側壁包括至少一第一耦合面；溫控源對溫控臺升溫或降溫；浮動板容設于溫控臺的凹槽內，且浮動板的四環周側壁包括至少一第二耦合面，而浮動板的至少一第二耦合面耦合于溫控臺的凹槽的至少一第一耦合面并可相對滑移。其中，至少一第一耦合面與至少一第二耦合面分別為可相互耦合的連續波浪狀表面，而溫控臺通過至少一第一耦合面與至少一第二耦合面對浮動板升溫或降溫。

據此，本發明藉由將浮動板設置于溫控臺上表面的凹槽內，且二者并利用可相互滑動、耦合的第一耦合面與第二耦合面來構成吸收下壓沖擊力的緩沖功效；而且，藉由連續波浪狀表面的設置，可顯著增加二者接觸的傳導面積，進而大幅提升溫控傳導的效率。

較佳的是，本發明的第一耦合面與第二耦合面可分別為可相互耦合的方波狀表面、弦波狀表面、或以銳角相互耦合的鋸齒狀表面，或者其他可相互耦合的幾何多邊形的連續波浪狀表面皆可。再者，本發明溫控臺的凹槽的每一側壁可包括一第一耦合面，浮動板的每一側壁可包括一第二耦合面。換言之，本發明溫控臺的凹槽的四環周側壁以及浮動板的四環周側壁可全部都設置第一耦合面和第二耦合面，藉此大幅增加傳導面積。

另外，本發明可更包括至少一彈性元件，其可設置于溫控臺的凹槽內，而至少一彈性元件的一端抵靠凹槽的底面，且至少一彈性元件的另一端抵靠浮動板的下表面。據此，本發明可藉由彈性元件而提供浮動板更佳的緩沖、及復位功效。其中，本發明的彈性元件可為彈簧、橡膠、或其他等效元件。此外，本發明的溫控源可為電致熱模組、電致冷模組、或其他任何可提供高溫或低溫的裝置或設備。

再且，本發明浮動板的上表面可凹設一晶片插槽，用以供測試晶片的插設，以及測試的進行。又，本發明可更包括一上蓋板，其可覆蓋于溫控臺的凹槽上方，而上蓋板可開設有一貫通槽，且浮動板的晶片插槽通過上蓋板的貫通槽而露出。據此，本發明可利用上蓋板來限制浮動板的滑動范圍；同時，藉由上蓋板來接觸浮動板，而上蓋板可提供另外的溫控傳導途徑，故上蓋板亦可采用熱傳導系數佳的材質。

附圖說明

圖1是本發明第一實施例的分解圖。

圖2是本發明第一實施例的剖視分解示意圖。

圖3是本發明第一實施例的剖視組合示意圖。

圖4是本發明第一耦合面和第二耦合面第二實施例的示意圖。

圖5是本發明第一耦合面和第二耦合面第三實施例的示意圖。

其中：

2溫控臺

20 上表面

21 凹槽

211底面

210側壁

22 第一耦合面

3浮動板