[發(fā)明專利]一種基于旁瓣抑制的電調(diào)寄生天線波束優(yōu)化方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410330674.8 | 申請日: | 2014-07-08 |
| 公開(公告)號: | CN104102775A | 公開(公告)日: | 2014-10-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫佳文 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團公司第四十一研究所 |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 266555 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 抑制 寄生 天線 波束 優(yōu)化 方法 | ||
1.一種基于旁瓣抑制的電調(diào)寄生天線波束優(yōu)化方法,其特征在于,包括以下步驟:
首先按照設(shè)定好的尺寸建立天線陣列的三維模型,計算出天線的諧振頻率以及天線端口的導(dǎo)納特性,計算結(jié)果作為旁瓣抑制算法的已知參量導(dǎo)入旁瓣抑制算法程序當(dāng)中,當(dāng)旁瓣抑制算法程序收斂后輸出優(yōu)化的結(jié)果,這個值為電抗加載值;然后,進一步驗證所求得的加載值,將優(yōu)化值代入各寄生單元的端口當(dāng)中,計算出天線的方向圖。
2.如權(quán)利要求1所述的基于旁瓣抑制的電調(diào)寄生天線波束優(yōu)化方法,其特征在于,所述天線陣列的陣列因子如下:
I=[i0,i1,…iN]T??(21)
其中為陣列方向圖,為陣列的流形,是方位角,φi是每個寄生單元所在位置的相對角度,I是天線陣列單元的端口電流向量,天線陣列單元的端口電流向量如下:
I=(E+Y·X)-1y0??(23)
式中導(dǎo)納矩陣預(yù)先通過數(shù)值算法來求得。
3.如權(quán)利要求2所述的基于旁瓣抑制的電調(diào)寄生天線波束優(yōu)化方法,其特征在于,在單波束工作模式中,采用一個雙目標(biāo)函數(shù)作為代價函數(shù),將主瓣和旁瓣的電平綜合計算,其表達(dá)式如下:
C=ωS-P??(24)
式(24)中P為陣列在水平面內(nèi)最大輻射方向上的方向性系數(shù),S為旁瓣電平的均方值,ω為加權(quán)因子。
4.如權(quán)利要求3所述的基于旁瓣抑制的電調(diào)寄生天線波束優(yōu)化方法,其特征在于,計算所述旁瓣電平的均方值的過程中,將整個方向圖平面分成若干個小的扇形區(qū)域,每個小區(qū)域的電平用該區(qū)域的中間點的值來代替,然后在整個旁瓣區(qū)域內(nèi)進行平均。
5.如權(quán)利要求4所述的基于旁瓣抑制的電調(diào)寄生天線波束優(yōu)化方法,其特征在于,界定所述主瓣區(qū)域和所述旁瓣區(qū)域的步驟,具體為:
將整個水平面均分為M個小區(qū)域,其中主瓣周圍的M1個區(qū)域定義為主瓣區(qū)域,余下的M-M1個小區(qū)域為旁瓣區(qū)域,對于具有全向方向圖的天線單元所組成的陣列,旁瓣電平的均方值寫成:
在水平面內(nèi)最大輻射方向上陣列因子的歸一化增益系數(shù)定義為下式:
式(26)用來表征陣列在水平面內(nèi)最大輻射方向上的方向性,是水平面的陣列因子,最終的代價函數(shù)為:
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