[發(fā)明專利]一種連續(xù)式真空紫外光臭氧表面清洗與氧化改性設(shè)備及其使用方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410330437.1 | 申請日: | 2014-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN104167381B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 謝振勇;成秋云;吳得軼;李曄純;周順峰 | 申請(專利權(quán))人: | 湖南紅太陽光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務(wù)所有限責任公司43113 | 代理人: | 馬強,李發(fā)軍 |
| 地址: | 410205 湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 連續(xù) 真空 紫外光 臭氧 表面 清洗 氧化 改性 設(shè)備 及其 使用方法 | ||
1.一種連續(xù)式真空紫外光臭氧表面清洗與氧化改性設(shè)備,包括工藝腔(3),以及設(shè)置在工藝腔(3)內(nèi)的紫外光光源系統(tǒng)(5),其特征在于,?還包括預(yù)熱腔(2)、冷卻腔(4);所述預(yù)熱腔(2)和冷卻腔(4)壁面上開有保護氣入口(14,16),所述工藝腔(3)壁面上開有氧氣進氣口(15);所述工藝腔(3)設(shè)置在預(yù)熱腔(2)和冷卻腔(4)之間并通過腔室門(11,12)隔開,所述預(yù)熱腔(2)進料口和冷卻腔(4)的出料口也設(shè)有相應(yīng)的腔室門(10,13);所述預(yù)熱腔(2)、工藝腔(3)、冷卻腔(4)內(nèi)以及預(yù)熱腔(2)的進料口(8)和冷卻腔(4)的出料口(9)處均設(shè)有可將被處理樣品按需要從預(yù)熱腔(2)進料口(8)傳送至冷卻腔(4)出料口(9)的上下料傳送系統(tǒng)(1);所述預(yù)熱腔(2)、工藝腔(3)、冷卻腔(4)通過管道和閥門與真空系統(tǒng)(6,17)相連;所述預(yù)熱腔(2)、工藝腔(3)內(nèi)設(shè)有加熱系統(tǒng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)式真空紫外光臭氧表面清洗與氧化改性設(shè)備,其特征在于,所述工藝腔(3)內(nèi)安裝有真空傳感器、溫度傳感器、臭氧濃度傳感器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)式真空紫外光臭氧表面清洗與氧化改性設(shè)備,其特征在于,所述紫外光光源系統(tǒng)(5)采用一組具有特定波長的紫外光燈管,與被處理樣品傳送方向平行或者垂直排列而形成一個面光源。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的連續(xù)式真空紫外光臭氧表面清洗與氧化改性設(shè)備,其特征在于,所述紫外光燈管上方裝有反射板,在反射板上方設(shè)有冷卻系統(tǒng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)式真空紫外光臭氧表面清洗與氧化改性設(shè)備,其特征在于,所述真空系統(tǒng)采用兩個真空泵,一個真空泵連接工藝腔(3),一個真空泵連接預(yù)熱腔(2)和冷卻腔(4)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)式真空紫外光臭氧表面清洗與氧化改性設(shè)備,其特征在于,所述上下料傳送系統(tǒng)包括五組傳送機構(gòu),一組位于進料口(8)處,一組位于出料口(9)處,預(yù)熱腔(2)、工藝腔(3)、冷卻腔(4)內(nèi)各設(shè)有一組;每組傳送機構(gòu)均采用鏈輪和鏈條帶動滾軸的傳動方式,每根滾軸上安置多個小滾球,使小滾球僅與被處理樣品兩側(cè)的邊緣部分點接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)式真空紫外光臭氧表面清洗與氧化改性設(shè)備,其特征在于,所述加熱系統(tǒng)為設(shè)置在預(yù)熱腔(2)的上下料傳送系統(tǒng)和工藝腔(3)的上下料傳送系統(tǒng)下方的平板式陶瓷加熱片。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的連續(xù)式真空紫外光臭氧表面清洗與氧化改性設(shè)備,其特征在于,還包括自動控制與檢測系統(tǒng),該自動控制與檢測系統(tǒng)分別與所述真空傳感器、溫度傳感器、臭氧濃度傳感器通過信號線相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的連續(xù)式真空紫外光臭氧表面清洗與氧化改性設(shè)備,其特征在于,各真空泵與相應(yīng)的工藝腔(3)、預(yù)熱腔(2)和冷卻腔(4)相連的管道上均相應(yīng)地裝有擋板閥(18,19,20);與工藝腔(3)相連的真空泵與工藝腔(3)之間的連接管道上設(shè)有蝶閥(21)。
10.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的連續(xù)式真空紫外光臭氧表面清洗與氧化改性設(shè)備,其特征在于,相鄰兩根紫外光燈管間距為5mm~10mm,紫外光燈管與被處理樣品之間的垂直距離為10mm~80mm。
11.一種如權(quán)利要求1-10之一所述連續(xù)式真空紫外光臭氧表面清洗與氧化改性設(shè)備的使用方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1:打開設(shè)備電源,做好設(shè)備運行前準備工作;
步驟2:打開進料口腔室門(10),將第一組樣品通過上下料傳送系統(tǒng)(1)送入預(yù)熱腔(2),關(guān)閉進料口腔室門(10),對預(yù)熱腔(2)進行預(yù)抽真空和并對樣品進行預(yù)加熱,同時對工藝腔(3)進行抽真空;
步驟3:當預(yù)熱腔(2)和工藝腔(3)氣壓平衡時,打開預(yù)熱腔(2)和工藝腔(3)之間的腔室門(11),將樣品通過上下料傳送系統(tǒng)(1)送入工藝腔(3),然后關(guān)閉預(yù)熱腔(2)和工藝腔(3)之間的腔室門(11);
步驟4:繼續(xù)對工藝腔(3)抽真空,待抽真空結(jié)束后,向工藝腔(3)內(nèi)充入氧氣,開啟紫外光光源系統(tǒng),對樣品表面進行清洗與氧化改性;
步驟5:在步驟4進行的同時,對預(yù)熱腔(2)進行破真空處理,然后打開進料口腔室門(10),將下一組樣品送入預(yù)熱腔(2),進行預(yù)熱和預(yù)抽真空,同時開始對冷卻腔(4)抽真空;
步驟6:樣品反應(yīng)完成后,打開工藝腔(3)與冷卻腔(4)之間的腔室門(12),通過上下料傳送系統(tǒng)(1)將樣品送入冷卻腔(4)后,關(guān)閉腔室門(12),在冷卻腔(4)內(nèi)通入保護氣體對樣品進行冷卻和破真空,完成后,打開出料口腔室門(13),將樣品送出冷卻腔(4),完成對該組樣品的加工;
步驟7:將樣品從工藝腔(3)送入冷卻腔(4)后,再打開預(yù)熱腔(2)和工藝腔(3)之間腔室門(11),將下一組樣品送入工藝腔(3),然后關(guān)閉該腔室門(11),重復(fù)步驟4到步驟7;
步驟8:結(jié)束生產(chǎn)任務(wù)時,等待設(shè)備中樣品加工完成后,關(guān)閉系統(tǒng)電源。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





