[發明專利]單晶硅及其制造方法

有效

• 申請號: 201410329579.6
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN104278321B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 永井勇太;中川聰子;鹿島一日兒
• 申請（專利權）人: 環球晶圓日本股份有限公司
• 主分類號: C30B15/20
• 分類號: C30B15/20;C30B30/04;C30B29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 龐立志,孟慧嵐

1.單晶硅的制造方法，其特征在于，在利用丘克拉斯基法的單晶硅提拉中，

以碳濃度為1.0×10¹⁵atoms/cm³以下的多晶硅作為原料，對原料熔液施加橫向磁場，并使填充有所述原料熔液的石英坩堝的轉速為5.0rpm以下，在從所述原料熔液表面起直至防輻射罩下端為止的距離Y的20～50%的范圍內的位置處以下述式（1）所示的流速A［m/sec］通入惰性氣體，

[式1]

Q：惰性氣體的流量［L/min］

P：爐內壓力［托］

X：防輻射罩的開口部直徑［mm］

Y：從原料熔液表面起直至防輻射罩下端為止的距離［mm］

α：校正系數

將被提拉的結晶的直體部直徑設為d［mm］時，至少從所述原料熔融開始時起直至被提拉的結晶的固化率達到30%的時刻為止，使流速A為0.2～5000/d［m/sec］的范圍內，

所述惰性氣體的流量Q為50～200L/min，所述爐內壓力P為5～100托，所述防輻射罩的開口部直徑X為d＋20～d＋50［mm］，從所述原料熔液表面起直至防輻射罩下端為止的距離Y為10～40mm，

并且，使從晶種與所述原料熔液接觸時起直至被提拉的結晶的固化率達到30%的時刻為止的側部加熱器和底部加熱器的合計功率的降低率為3～30%的范圍內，側部加熱器的功率的降低率為5～45%的范圍內。