[發(fā)明專利]一種碳化硅增強鑄銅冷卻構件的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410329456.2 | 申請日: | 2014-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN104084562A | 公開(公告)日: | 2014-10-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳建軍;王明明;廖欣;柳兆祥;丁麗娟 | 申請(專利權)人: | 浙江理工大學 |
| 主分類號: | B22D19/08 | 分類號: | B22D19/08 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人: | 林懷禹 |
| 地址: | 310018 浙江省杭州市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 碳化硅 增強 鑄銅 冷卻 構件 制備 方法 | ||
1.一種碳化硅增強鑄銅冷卻構件的制備方法,其特征在于:采用高溫粘結劑將表面具有金屬涂層的蜂窩狀碳化硅陶瓷薄片粘接固定在整個石墨鑄型的外表面,蜂窩狀碳化硅陶瓷薄片與石墨鑄型的表面留有1~10毫米的間隙;將冷卻水管道固定預埋在石墨鑄型內,將碳化硅陶瓷薄片預熱至100~300℃后,銅水直接澆注入石墨鑄型,并滲入蜂窩狀碳化硅陶瓷孔隙中,澆注溫度1100~1200℃,形成網(wǎng)格狀碳化硅增強鑄銅冷卻構件。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種碳化硅增強鑄銅冷卻構件的制備方法,其特征在于:所述高溫粘結劑為耐溫1210-1730℃的硅鋁酸鹽無機粘結劑。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種碳化硅增強鑄銅冷卻構件的制備方法,其特征在于:所述蜂窩狀碳化硅陶瓷薄片的厚度為3~10毫米,碳化硅陶瓷表面具有與碳化硅潤濕性較好的鎳、鈷、鐵或鎳鈦合金涂層。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種碳化硅增強鑄銅冷卻構件的制備方法,其特征在于:所述鑄銅冷卻構件,包括應用于雙閃爐、奧斯麥特爐、艾薩爐、富氧頂吹爐、鉛鋅冶煉爐、貧化電爐、基夫賽特爐、鎳鐵電爐和高爐爐窯中的鑄銅水套、銅流槽和銅冷卻壁。
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