[發明專利]一種雙引線麥克風電路及操作雙引線麥克風的方法

有效

• 申請號: 201410329288.7
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN104284289B
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: W.弗洛里安;M.格勒;A.韋斯鮑爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H04R27/00
• 分類號: H04R27/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 張濤,胡莉莉

1.一種雙引線麥克風電路，包括：

集成電路，包括：

半導體襯底；

部署在所述半導體襯底上的放大器，所述放大器具有耦接到所述集成電路的第一管腳的電源連接以及耦接到所述集成電路的第二管腳的基準連接，其中所述放大器的輸入被配置為接收音頻信號；

部署在所述半導體襯底上的阻抗元件，所述阻抗元件具有耦接到所述放大器的輸出的第一端；以及

部署在所述半導體襯底上的基準電壓生成器，其中，所述基準電壓生成器具有耦接到所述阻抗元件的第二端的輸出，其中所述基準電壓生成器被配置為在所述基準電壓生成器的輸出處提供電流作為源進入或者電流吸收。

2.如權利要求1所述的雙引線麥克風電路，還包括：聲學換能器，具有耦接到所述放大器的輸入的輸出。

3.如權利要求2所述的雙引線麥克風電路，其中，所述聲學換能器被部署在所述集成電路上。

4.如權利要求1所述的雙引線麥克風電路，其中，所述基準電壓生成器被配置為：輸出大于或小于所述放大器的DC輸出電壓的基準電壓。

5.如權利要求1所述的雙引線麥克風電路，其中，所述基準電壓生成器提供調節電壓。

6.如權利要求5所述的雙引線麥克風電路，其中，所述基準電壓生成器是帶隙電壓生成器。

7.如權利要求1所述的雙引線麥克風電路，其中，所述基準電壓生成器輸出第一調節電壓，所述第一調節電壓大于或小于在所述放大器的輸出處的平均DC電壓。

8.如權利要求7所述的雙引線麥克風電路，其中，所述第一調節電壓比在所述放大器的輸出處的所述平均DC電壓更多出或更少于如下裕量：該裕量防止所述放大器的輸出電流反轉其極性。

9.如權利要求1所述的雙引線麥克風電路，其中，所述放大器包括僅單個輸入。

10.一種半導體電路，包括：

半導體襯底；

聲學換能器，被部署在所述半導體襯底上；

放大器，被部署在所述半導體襯底上，其中，所述放大器具有耦接到所述聲學換能器的輸出的輸入；

晶體管，被部署在所述半導體襯底上，其中所述晶體管具有耦接到所述放大器的輸出的控制節點；

阻抗元件，被部署在所述半導體襯底上，其中，所述阻抗元件具有耦接到所述晶體管的第一輸出節點的第一端；

第一管腳，耦接到所述晶體管的第二輸出節點，其中，所述第一管腳被配置為：接收用于所述半導體電路的電力，并且輸出與聲學輸出成比例的信號電流；以及

第二管腳，被配置為耦接到基準節點。

11.如權利要求10所述的半導體電路，其中，所述基準節點是接地節點。

12.如權利要求10所述的半導體電路，其中，所述阻抗元件包括：電阻器。

13.如權利要求10所述的半導體電路，其中，所述半導體電路是雙引線麥克風電路，被配置為：僅經由所述第一管腳和所述第二管腳而接口于音頻處理器。

14.如權利要求10所述的半導體電路，其中：

所述阻抗元件的第二端耦接到所述第二管腳。

15.如權利要求14所述的半導體電路，其中：

所述晶體管包括MOSFET；

所述晶體管的控制節點是所述MOSFET的柵極；

所述晶體管的第一輸出節點是所述MOSFET的漏極；以及

所述晶體管的第二輸出節點是所述MOSFET的源極。

16.如權利要求10所述的半導體電路，其中，所述晶體管處于共源配置。

17.一種操作雙引線麥克風的方法，包括：

使用所述雙引線麥克風的聲學換能器來接收聲學輸入；

放大所述聲學輸入以產生第一電信號，其中，放大包括使用集成電路上所部署的放大器，其中所述集成電路包括半導體襯底；

將所述第一電信號轉換為信號電流，其中，轉換包括使用所述放大器來應用跨阻抗元件的電壓，所述阻抗元件耦接到有源設備，其中所述有源設備和所述阻抗元件被部署在所述集成電路上；

在所述集成電路的第一管腳上輸出所述信號電流；以及

從所述集成電路的第一管腳接收用于所述放大器的電力。