[發明專利]接觸通孔蝕刻方法

有效

• 申請號: 201410329093.2
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN105244312B
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 伏廣才;許繼輝;蘇良得;倪梁;汪新學
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種接觸通孔蝕刻方法，其特征在于，適用于至少由第一材料層和第二材料層堆疊形成的復合層結構，其中該第一材料層和第二材料層的材料不同，該接觸通孔蝕刻方法包括：

a.使用博世蝕刻工藝蝕刻第一材料層，以在該第一材料層內形成接觸通孔，其中該博世蝕刻工藝進一步包括：

a1.在接觸通孔的側壁和底部形成聚合物；

a2.去除該接觸通孔的底部處的聚合物；

a3.在接觸通孔中蝕刻預定深度；

a4.重復執行上述步驟a1-a3，直至該接觸通孔在該第一材料層內達到一指定深度；以及

b.使用不同于上述博世蝕刻工藝的另一蝕刻工藝來蝕刻以達到該指定深度的接觸通孔，使得該接觸通孔達到該第一材料層下面的第二材料層；

其中所述步驟b中的另一蝕刻工藝進一步包括：

b1.利用第一蝕刻劑蝕刻穿過所述第一材料層上形成的自然氧化物層；

b2.利用第二蝕刻劑蝕刻穿過所述第一材料層，以達到所述第二材料層。

2.如權利要求1所述的接觸通孔蝕刻方法，其特征在于，所述第一材料層是硅層，且所述第二材料層是氧化物層。

3.如權利要求2所述的接觸通孔蝕刻方法，其特征在于，所述第一蝕刻劑是CF₄，且所述第二蝕刻劑是Cl₂和HBr。

4.如權利要求1所述的接觸通孔蝕刻方法，其特征在于，所述步驟a3中采用的蝕刻劑不同于所述第二蝕刻劑。

5.如權利要求4所述的接觸通孔蝕刻方法，其特征在于，所述步驟a3中采用的蝕刻劑是SF₆，且所述第二蝕刻劑是Cl₂和HBr。

6.如權利要求1所述的接觸通孔蝕刻方法，其特征在于，在步驟b之后，所述接觸通孔蝕刻方法進一步包括去除所述接觸通孔中的有機副產物的步驟。