[發明專利]硅太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201410328758.8
• 申請日: 2014-07-10
• 公開（公告）號: CN104051580B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 孫寶全;張杰
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 常亮

1.一種硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述硅太陽能電池的制備方法包括如下步驟：

S1.提供冶金級硅晶圓襯底，并對硅晶圓襯底進行清洗；

S2.對清洗完畢的冶金級硅晶圓襯底在刻蝕液中進行刻蝕，經純化處理后，得到排布規則的硅納米陣列；

S3.對硅納米陣列的表面進行形貌修飾，得到表面經過修飾處理的冶金級硅納米結構；

其中，所述步驟S3具體包括：使用四甲基氫氧化銨對硅納米陣列的表面進行形貌修飾，此時，將四甲基氫氧化銨溶于溶劑中配成體積比為1％的修飾溶液，利用修飾溶液浸泡硅納米陣列的表面15s～1min；

S4.在得到的冶金級硅納米結構表面均勻涂覆共軛有機物，涂覆后，進行退火處理；

其中，在惰性氣體保護下，在得到的冶金級硅納米結構表面，通過均膠旋涂法以9000轉/分鐘的速度均勻涂覆共軛有機物，涂覆后，進行退火處理，所述共軛有機物為聚(3,4二氧乙烯噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)；

S5.在涂覆有共軛有機物的表面、及冶金級硅晶圓襯底上制作金屬電極。

2.根據權利要求1所述的硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括：將清洗完畢的冶金級硅晶圓襯底放入4.8M的HF和0.02M的AgNO₃形成的混合溶液中進行刻蝕，刻蝕時在常溫下刻蝕20min，刻蝕后，將冶金級硅晶圓襯底在質量百分濃度為30％的HNO₃溶液中浸泡至少1h，再利用去離子水對浸泡后的冶金級硅晶圓襯底進行沖洗，得到排布規則的硅納米陣列。

3.根據權利要求1所述的硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述溶劑為：烷基醇類溶劑或去離子水。

4.根據權利要求1所述的硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S5中，利用蒸鍍法在涂覆有共軛有機物的表面、及冶金級硅晶圓襯底上制作金屬電極。

5.一種根據權利要求1～4任一項所述的制備方法獲得的硅太陽能電池，其特征在于，所述硅太陽能電池依次包括：金屬背電極、冶金級納米結構硅基襯底、有機共軛薄膜、金屬柵電極，所述有機共軛薄膜位于冶金級納米結構硅基襯底上，并與冶金級納米結構硅基襯底形成有機-無機雜化異質結。