[發(fā)明專利]焊盤結(jié)構(gòu)及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410328534.7 | 申請(qǐng)日： | 2014-07-10 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105280596A | 公開（公告）日： | 2016-01-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬燕春 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/488 | 分類號(hào)： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人： | 吳貴明;張永明 |
| 地址： | 201203 *** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 盤結(jié) 及其 制作方法 | ||
1.一種焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述焊盤結(jié)構(gòu)包括：
導(dǎo)電緩沖層(110)，覆于所述金屬互連結(jié)構(gòu)中金屬區(qū)(20)的表面上；
焊墊(120)，覆于所述導(dǎo)電緩沖層(110)的表面上；
所述導(dǎo)電緩沖層(110)的楊氏模量大于所述焊盤(120)的楊氏模量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電緩沖層(110)為含Ti緩沖層，所述含Ti緩沖層包括：
Ti緩沖層，位于所述金屬區(qū)(20)的上方；以及
TiN緩沖層，位于所述Ti緩沖層遠(yuǎn)離所述金屬區(qū)的一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，焊盤結(jié)構(gòu)還包括擴(kuò)散阻擋層(130)，所述擴(kuò)散阻擋層(130)設(shè)置在所述金屬區(qū)(20)與所述導(dǎo)電緩沖層(110)之間，和/或所述導(dǎo)電緩沖層(110)和所述焊墊(120)之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述擴(kuò)散阻擋層(130)設(shè)置在所述金屬區(qū)與所述導(dǎo)電緩沖層(110)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述擴(kuò)散阻擋層(130)為含Ta阻擋層，所述含Ta阻擋層包括：
Ta阻擋層，位于所述金屬區(qū)(20)的上方；以及
TaN阻擋層，位于所述Ta阻擋層遠(yuǎn)離所述金屬區(qū)的一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電緩沖層(110)的厚度為所述擴(kuò)散阻擋層(130)的厚度的3～18倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電緩沖層(110)的厚度為所述擴(kuò)散阻擋層(130)的厚度為
8.根據(jù)權(quán)利要求2或5所述的焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述TiN緩沖層或所述TaN阻擋層中氮含量為20～30wt％。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬區(qū)(20)為銅金屬區(qū)，所述焊墊(120)為鋁焊墊，優(yōu)選所述鋁焊墊為摻銅鋁焊墊，優(yōu)選所述摻銅鋁焊墊中銅摻雜量為0.5～1wt％。
10.一種權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的焊盤結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
在金屬互連結(jié)構(gòu)中金屬區(qū)(20)的表面上形成楊氏模量高于所欲形成的焊墊(120)楊氏模量的導(dǎo)電緩沖層(110)；
在所述導(dǎo)電緩沖層(110)的表面上形成焊墊(120)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述導(dǎo)電緩沖層(110)的步驟中，所述導(dǎo)電緩沖層(110)為含Ti緩沖層；形成所述含Ti緩沖層的步驟包括：
在所述金屬區(qū)上形成Ti緩沖層；以及
在所述Ti緩沖層上形成TiN緩沖層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在形成所述導(dǎo)電緩沖層(110)的步驟之前，和/或在形成所述焊墊(120)之前，還包括形成擴(kuò)散阻擋層(130)的步驟；優(yōu)選在形成所述導(dǎo)電緩沖層(110)的步驟之前形成所述擴(kuò)散阻擋層(130)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述擴(kuò)散阻擋層(130)的步驟中，所述擴(kuò)散阻擋層(130)為含Ta阻擋層；形成所述含Ta阻擋層的步驟包括：
在所述金屬區(qū)(20)的上方形成Ta阻擋層，以及
在所述Ta阻擋層上形成TaN阻擋層。
14.根據(jù)權(quán)利要求11或13所述的方法，其特征在于，形成所述TiN緩沖層或形成所述TaN阻擋層時(shí)，氮?dú)饬髁繛?～15sccm。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述焊墊(120)時(shí)，所述焊墊(120)為鋁焊墊，優(yōu)選為銅摻雜量0.5～1wt％的摻銅鋁焊墊，更優(yōu)選所述焊墊在壓力為2～10mtorr、溫度為180～270℃的條件下形成。
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