[發明專利]一種基于RTV涂料的中壓電纜附件缺陷模型

有效

• 申請號: 201410328430.6
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN104065020A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 朱曉輝;李旭;郭勇
• 申請（專利權）人: 國家電網公司;國網天津市電力公司
• 主分類號: H02G15/00
• 分類號: H02G15/00
• 代理公司: 天津盛理知識產權代理有限公司 12209
• 代理人: 王來佳

技術領域

本發明屬于中壓電纜技術領域，尤其是一種基于RTV涂料的中壓電纜附件缺陷模型。

背景技術

隨著電網的發展，中壓(額定電壓6～35kV)電纜附件的使用量逐年增加，運行中電纜附件也時常發生故障。電纜附件在電網中運行的質量取決于多方面的因素，包括設計、產品本身質量、施工安裝工藝、電纜線路運行狀況等。隨著現代科技的不斷發展及材料技術、生產工藝的不斷提高，產品本身質量原因造成故障的概率越來越少，而現場的安裝質量已直接影響中壓電纜附件的故障率。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的不足，提供一種基于RTV涂料的中壓電纜附件缺陷模型,解決中壓電纜施工過程中多發故障的模擬分析及處理問題。

本發明解決現有的技術問題是采取以下技術方案實現的：

一種基于RTV涂料的中壓電纜附件缺陷模型，包括主絕緣體、絕緣屏蔽層、導體壓接管和冷縮中間接頭，所述的絕緣屏蔽層設置在主絕緣體的兩端，導體壓接管將兩端電纜連接后，所述的冷縮中間接頭設置在整體外部，在主絕緣體、絕緣屏蔽層和冷縮中間接頭上設有如下四種缺陷之一：

⑴在導體壓接管與主絕緣體之間制有氣隙并使用RTV填補，構成導體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型；

⑵在絕緣屏蔽層與主絕緣體的斷口處制有半導電斷口劃傷并使用RTV填補，從而構成半導電斷口劃傷缺陷模型；

⑶在主絕緣體上制有劃傷并使用RTV填補，從而構成主絕緣劃傷缺陷模型；

⑷在主絕緣體的導體壓接處制有滲水縫隙并使用RTV填補，從而構成防水缺陷模型。

而且，所述導體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型中的氣隙為1-2mm。

而且，所述半導電斷口劃傷缺陷模型中的半導電斷口劃傷為沿斷口走向的環狀劃傷，對于10kV電纜：該劃傷寬度為0.5mm，深度為1mm；對于35kV電纜：該劃傷寬度為1mm，深度為1.5mm。

而且，所述主絕緣劃傷缺陷模型中的劃傷深度及位置為：對于10kV電纜，劃傷深度為0.5-1mm，劃傷長度為25mm，末端距主絕緣體端部40-50mm；對于35kV電纜，劃傷深度為0.5-1.5mm，劃痕長度為30mm，末端距主絕緣端部60-80mm。

而且，所述的冷縮中間接頭采用透明硅橡膠制成。

本發明的優點和積極效果是：

本發明采用透明硅橡膠制作成的冷縮中間接頭，對中壓電纜現場施工過程中多發的問題進行模擬，并利用RTV處理缺陷，可以用來驗證不同類型缺陷的處理效果，為后期進行試驗對比分析，總結消除缺陷隱患的施工處理方法打下基礎，對提高電纜供電可靠性、降低運行及維護成本有著重要意義。

附圖說明

圖1是本發明的導體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型示意圖；

圖2是本發明的半導電斷口劃傷缺陷模型示意圖；

圖3是本發明的主絕緣劃傷缺陷模型示意圖；

圖4是本發明的防水缺陷模型示意圖；

圖中，1：主絕緣體，2：導體壓接管與主絕緣間氣隙，3：絕緣屏蔽層，4：半導電斷口劃傷，5：導體壓接管，6：主絕緣劃傷，7：滲水縫隙，8：冷縮中間接頭。

具體實施方式

以下結合附圖對本發明實施例做進一步詳述。

一種基于RTV涂料的中壓電纜附件缺陷模型，如圖1至圖4所示，包括主絕緣體1、絕緣屏蔽層3，絕緣屏蔽層設置在主絕緣體的兩端，兩端電纜用導體壓接管5連接，外部套有冷縮中間接頭8，所述的冷縮中間接頭采用透明硅橡膠制成，在主絕緣體、絕緣屏蔽層和冷縮中間接頭上設有如下四種缺陷之一：

如圖1所示，在導體壓接管與主絕緣體之間制有氣隙2，該氣隙使用RTV填補，構成導體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型。該缺陷模型的制作方法為：電纜主絕緣體剝切及導體壓接后，在纏繞半導電帶時在主絕緣體和導體壓接管之間留出約1-2mm的縫隙，并使用RTV填補導體壓接管與主絕緣體之間的氣隙。

如圖2所示，在絕緣屏蔽層與主絕緣體的斷口處制有沿斷口走向的環狀劃傷4，并使用RTV沿斷口均勻涂抹一周，并在其干燥后打磨平滑，從而構成半導電斷口劃傷缺陷模型。該缺陷模型的制作方法為：當完成電纜絕緣屏蔽層的剝除后，在絕緣屏蔽層與主絕緣體的斷口處留下半導電斷口劃傷，劃痕的寬度及深度為，10kV：寬0.5mm，深1mm；35kV：寬1mm，深1.5mm，并使用RTV沿斷口均勻涂抹一周，并在其干燥后打磨平滑。