[發明專利]一種濕度傳感器及其制備方法無效
| 申請號: | 201410328078.6 | 申請日: | 2014-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN104062322A | 公開(公告)日: | 2014-09-24 |
| 發明(設計)人: | 劉瑞;張珽;谷文;沈方平;丁海燕;祁明鋒 | 申請(專利權)人: | 蘇州能斯達電子科技有限公司 |
| 主分類號: | G01N27/00 | 分類號: | G01N27/00 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 麥小嬋;郝傳鑫 |
| 地址: | 215123 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 濕度 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.一種濕度傳感器,其特征在于,包括襯底,形成于所述襯底上的氧化硅層,電鍍于所述氧化硅層上的下電極和加熱電極,旋涂于所述下電極和所述加熱電極上的濕度敏感層,以及電鍍于所述濕度敏感層上的上電極;其中,所述下電極、所述加熱電極和所述上電極由金屬鎳制成;所述濕度敏感層由高分子材料制成。
2.如權利要求1所述的濕度傳感器,其特征在于,所述濕度傳感器還包括濺射于所述氧化硅層上的連接層,以及濺射于所述連接層上的導電層。
3.如權利要求1或2所述的濕度傳感器,其特征在于,所述濕度傳感器還包括濺射于所述濕度敏感層上的導電層。
4.一種濕度傳感器的制備方法,其特征在于,包括:
S1、提供一層襯底,并在所述襯底上形成一層氧化硅層;
S2、在所述氧化硅層上電鍍出下電極和加熱電極;所述下電極和所述加熱電極由金屬鎳制成;
S3、在所述下電極和所述加熱電極上旋涂一層濕度敏感層;所述濕度敏感層由高分子材料制成;
S4、在所述濕度敏感層上電鍍出上電極;所述上電極由金屬鎳制成。
5.如權利要求4所述的濕度傳感器的制備方法,其特征在于,在所述步驟S2之前還包括:
在所述氧化硅層上濺射一層連接層;
在所述連接層上濺射一層導電層。
6.如權利要求4或5所述的濕度傳感器的制備方法,其特征在于,在所述步驟S4之前還包括:
在所述濕度敏感層上濺射一層導電層。
7.如權利要求4所述的濕度傳感器的制備方法,其特征在于,在所述步驟S4之后還包括:
去除所述濕度敏感層上多余的高分子材料。
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