[發明專利]一種平面型VDMOS器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201410328013.1
• 申請日: 2014-07-10
• 公開（公告）號: CN105244279B
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 馬萬里
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種平面型VDMOS器件的制作方法，包括

提供第一導電類型外延層；

在第一導電類型外延層上生成柵氧化層，在所述柵氧化層上生成多晶硅層；

在所述多晶硅層上生成第一隔離層；

在所述第一導電類型外延層上制作第二導電類型阱區和第一導電類型源區，之后在所述第一隔離層上生成第二隔離層；所述第二隔離層的厚度小于所述第一隔離層的厚度；

所述生成第二隔離層之后，以所述第二隔離層為掩膜，在所述第二導電類型阱區制作第二導電類型深體區，并在第二隔離層上生成第三隔離層；所述第二隔離層的厚度小于所述第一隔離層和所述第三隔離層的厚度；

在器件表面生成介質層，并制作接觸孔和金屬層；

其中，所述第一導電類型和第二導電類型的導電類型相反。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二導電類型阱區制作時注入的離子劑量小于所述第二導電類型深體區制作時注入的離子劑量。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔離層為氮化硅層或二氧化硅層。

4.如權利要求3中所述的方法，其特征在于，所述氮化硅層是采用低壓化學氣相淀積或等離子體化學氣相淀積方式生成。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一導電類型為N型，第二導電類型為P型。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一導電類型為P型 ，第二導電類型為N型。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述介質層由不摻雜的二氧化硅和磷硅玻璃組成。

8.如權利要求1-7中任一所述的方法，其特征在于，所述金屬層包括源極 金屬層和漏極金屬層，其中，所述源極 金屬層的材料為鋁、硅、銅合金，所述漏極金屬層的材料為鈦、鎳、銀復合層。

9.一種平面型VDMOS器件，包括第一導電類型外延層，生成在第一導電類型外延層上的柵氧化層和生成在該柵氧化層上的多晶硅層，對所述第一導電類型外延層進行離子注入形成的第二導電類型阱區和第一導電類型源區，以及制作在器件表面的介質層、接觸孔和金屬層，還包括

生成在所述多晶硅層上的第一隔離層；

以及生成在所述第一隔離層上的第二隔離層；以所述第二隔離層為掩膜制作在第二導電類型阱區的第二導電類型深體區，生成在第二隔離層上的第三隔離層，所述第二隔離層的厚度小于所述第一隔離層和所述第三隔離層的厚度；

其中，所述第一導電類型和第二導電類型的導電類型相反；所述第二隔離層的厚度小于所述第一隔離層的厚度。

10.如權利要求9所述的器件，其特征在于，所述隔離層為氮化硅層或二氧化硅層。

11.如權利要求10所述的器件，其特征在于，所述氮化硅層是采用低壓化學氣相淀積或等離子體化學氣相淀積的方式生成。

12.如權利要求9所述的器件，其特征在于，所述第一導電類型為N型，第二導電類型為P型。

13.如權利要求9所述的器件，其特征在于，所述第一導電類型為P型，第二導電類型為N型。

14.如權利要求9所述的器件，其特征在于，所述介質層由不摻雜的二氧化硅和磷硅玻璃組成。

15.如權利要求9-14中任一所述的器件，其特征在于，所述金屬層包括源極 金屬層和漏極金屬層，其中，所述源極 金屬層的材料為鋁、硅、銅合金，所述漏極金屬層的材料為鈦、鎳、銀復合層。