[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201410327875.2
• 申請日: 2014-07-10
• 公開（公告）號: CN104282690B
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: 中島榮
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種半導體器件，用于將負載電流供應給負載，所述半導體器件包括：

第一導電類型的第一半導體區域；

共用漏電極，所述共用漏電極與所述第一半導體區域電連接；

第二半導體區域，所述第二半導體區域與所述第一半導體區域接合，并且為不同于所述第一導電類型的第二導電類型；

第一擴散層，所述第一擴散層被形成在所述第二半導體區域中，被重摻雜有所述第一導電類型的雜質，并且用作第一晶體管的源極；

所述第二導電類型的第三半導體區域，所述第三半導體區域與所述第一半導體區域接合；

第二擴散層，所述第二擴散層被形成在所述第三半導體區域中，被重摻雜有所述第一導電類型的雜質，并且用作第二晶體管的源極；

柵極絕緣膜；

柵電極，所述柵電極被布置成經由所述柵極絕緣膜，與所述第一半導體區域、所述第二半導體區域以及所述第三半導體區域相對；以及

電壓檢測電路，

其中，所述負載電流在所述共用漏電極和所述第一擴散層之間流動，并且

其中，所述電壓檢測電路響應于在所述第二擴散層和電壓取出電極之間的電壓，來生成檢測信號，所述電壓取出電極被形成為具有與所述共用漏電極的電壓相同的電壓或與所述共用漏電極的電壓對應的電壓。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

第三擴散層，所述第三擴散層被形成在所述第一半導體區域中，并且被重摻雜有所述第一導電類型的雜質，

其中，所述電壓取出電極與所述第三擴散層接合。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電壓檢測電路基于在所述電壓取出電極與所述第二擴散層之間的電壓是否高于預定的設定閾值電壓，來生成所述檢測信號。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，進一步包括：

邏輯電路，所述邏輯電路被配置成響應于外部控制信號，控制所述柵電極的電壓，

其中，所述邏輯電路控制所述柵電極的電壓，以當在所述電壓取出電極與所述第二擴散層之間的電壓高于所述設定閾值電壓時，與所述外部控制信號無關地響應于所述檢測信號使所述第一晶體管和所述第二晶體管截止。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，進一步包括：

邏輯電路，所述邏輯電路被配置成當在所述電壓取出電極與所述第二擴散層之間的電壓不高于所述設定閾值電壓時，響應于所述檢測信號，將錯誤信號輸出到特定外部端子。

6.根據權利要求1至5中的任何一項所述的半導體器件，其中，所述第一半導體區域、所述第二半導體區域和所述第三半導體區域被集成在相同的半導體襯底上，

其中，所述電壓檢測電路具有被集成在所述半導體襯底的表面部中的電路元件。

7.根據權利要求1至5中的任何一項所述的半導體器件，進一步包括：

第四半導體區域，所述第四半導體區域與所述第一半導體區域接合，并且被重摻雜有所述第一導電類型的雜質；以及

第五半導體區域，所述第五半導體區域被重摻雜有所述第一導電類型的雜質，

其中，所述第一半導體區域、所述第二半導體區域、所述第三半導體區域、第四半導體區域和第五半導體區域被集成在相同的半導體襯底上，

其中，所述第四半導體區域被形成在所述半導體襯底的背側主表面上，

其中，所述第五半導體區域被布置成從所述半導體襯底的前側主表面，穿過所述第一半導體區域到達所述第四半導體區域，并且

其中，所述電壓取出電極與所述第五半導體區域接合。

8.根據權利要求1至5中的任何一項所述的半導體器件，進一步包括：

電源端子，DC電源連接到所述電源端子；以及

負載端子，所述負載連接到所述負載端子，

其中，所述電源端子與所述共用漏電極連接，并且所述負載端子與所述第一擴散層連接。