[發(fā)明專利]一種新型發(fā)光二極管芯片及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410327536.4 | 申請日： | 2014-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN104064647A | 公開（公告）日： | 2014-09-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 何鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22;H01L33/02;H01L33/36;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372 | 代理人： | 吳大建;劉華聯(lián) |
| 地址： | 423038 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 新型 發(fā)光二極管 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一種新型發(fā)光二極管芯片，其特征在于：包括N型半導(dǎo)體層(1)、發(fā)光層(2)、P型半導(dǎo)體層(3)、透明導(dǎo)電層(4)、P電極(5)以及N電極(6)，所述N型半導(dǎo)體層(1)、發(fā)光層(2)、P型半導(dǎo)體層(3)以及透明導(dǎo)電層(4)沿軸線(L)方向由下至上依次設(shè)置；所述P電極(5)設(shè)置在所述透明導(dǎo)電層(4)上；所述N電極(6)設(shè)置在所述N型半導(dǎo)體層(1)上；
所述P型半導(dǎo)體層(3)的上表面上設(shè)有凹槽(31)，所述凹槽(31)位于所述P電極(5)的正下方；
所述凹槽(31)在垂直于所述軸線(L)上的橫截面的面積為所述P電極(5)在垂直于所述軸線(L)上的橫截面的面積的1.0-5.0倍，所述凹槽(31)在軸線(L)方向的深度(h)為所述P型半導(dǎo)體層(3)在軸線(L)方向的厚度(H)的0.1-0.8倍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述凹槽(31)在垂直于所述軸線(L)上的橫截面的面積為所述P電極(5)在垂直于所述軸線(L)上的橫截面的面積的1.0-2.0倍，其表面粗糙度為0-100。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述凹槽(31)在軸線(L)方向的深度為100nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述P電極(5)以及所述N電極(6)的結(jié)構(gòu)均為反射電極結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的新型發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述反射電極結(jié)構(gòu)為鎳/鋁或鎳/銀，其連接線為金屬線，其焊線的材質(zhì)為金。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述透明導(dǎo)電層(4)為氧化銦錫薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的新型發(fā)光二極管芯片，其特征在于：還包括襯底(7)、緩沖層(8)以及保護(hù)層(9)，所述緩沖層(8)設(shè)置在所述N型半導(dǎo)體層(1)的下方；所述襯底(7)設(shè)置在所述緩沖層(8)的下方；所述保護(hù)層(9)設(shè)置在所述透明導(dǎo)電層(4)的上方，所述P電極(5)貫穿所述保護(hù)層(9)設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的新型發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述保護(hù)層(9)為二氧化硅保護(hù)層。
9.一種如權(quán)利要求7所述的新型發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟一：沿軸線(L)方向，將所述緩沖層(8)設(shè)置在所述襯底(7)上，將所述N型半導(dǎo)體層(1)設(shè)置在所述緩沖層(8)上；將所述發(fā)光層(2)設(shè)置在所述N型半導(dǎo)體層(1)上，將所述P型半導(dǎo)體層(3)設(shè)置在所述發(fā)光層(2)上；
步驟二：采用電感耦合等離子體將芯片進(jìn)行刻蝕形成芯片體，所述刻蝕過程的工藝參數(shù)為：ICP功率為500W，RF功率為80W，腔體壓力為5mtorr，BCl3流量為10sccm，Cl2流量為50sccm，刻蝕時(shí)間為1.5-2.5min；
步驟三：將所述透明導(dǎo)電層(4)通過蒸發(fā)臺(tái)或者濺射鍍膜法鍍在所述P型半導(dǎo)體層(3)上后，依次經(jīng)過勻膠、軟烤、曝光、顯影以及堅(jiān)膜過程；用ITO蝕刻液腐蝕出現(xiàn)圖形后放入去膠液中浸泡15min，將芯片表面的光刻膠洗凈，沖水甩干，得到第一芯片體；
步驟四：將所述P電極(5)以及所述N電極(6)分別通過蒸發(fā)臺(tái)或者濺射鍍膜法分別設(shè)置在所述透明導(dǎo)電層(4)以及所述N型半導(dǎo)體層(1)上，得到第二芯片體；
步驟五：將所述第二芯片體的上部通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積出保護(hù)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的新型發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于：所述采用電感耦合等離子體刻蝕形成芯片體過程之前先將芯片依次進(jìn)行清洗、勻膠、曝光、顯影以及堅(jiān)膜過程。
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