[發明專利]一種具有高階補償的基準電壓源有效
| 申請號: | 201410326657.7 | 申請日: | 2014-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN105320199B | 公開(公告)日: | 2018-08-17 |
| 發明(設計)人: | 林美玉;王曉飛 | 申請(專利權)人: | 廣州市力馳微電子科技有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市高新技術產業開*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 補償 基準 電壓 | ||
1.一種具有高階補償的基準電壓源,其特征在于:所述具有高階補償的基準電壓源包括有帶隙基準核心電路、高低溫補償電路和電阻R0,
所述帶隙基準核心電路設有輸出端口VREF,帶隙基準核心電路包括一個P型MOS管、三個NPN型三極管、七個電阻、一個電容和一個運算放大器,其電路連接方式為:第七P型MOS管MP7的漏極與電阻R5的一端電連接,第七P型MOS管MP7的柵極與運算放大器的輸出端電連接,電阻R3的一端、電阻R4的一端均與第三NPN型三極管Q3的發射極電連接;電阻R3的另一端、第一NPN型三極管Q1的集電極均與運算放大器的同向輸入端電連接;電阻R4的另一端、第二NPN型三極管Q2的集電極均與運算放大器的反向輸入端電連接,第一NPN型三極管Q1的發射極、第二NPN型三極管Q2的發射極經電阻R1后均與電阻R2的一端電連接;電阻R6的一端與電阻R7的一端電連接,第一NPN型三極管Q1的基極、第二NPN型三極管Q2的基極均電連接在電阻R6與電阻R7之間的連接線路上,電阻R6的另一端、電阻R5的另一端、電容C1的一端均與所述輸出端口VREF電連接;第三NPN型三極管Q3的基極與偏置電壓Vb電連接,第七P型MOS管MP7的源極、第三NPN型三極管Q3的集電極均與電源VDD電連接,電阻R2的另一端與電阻R0的一端電連接,電阻R0的另一端、電阻R7的另一端、電容C1的另一端均與地GND電連接,其中三極管Q3為電流源,流過電流的不同面積比例的三極管產生的基極-發射極電壓不同,其電壓差值作用在電阻R1上產生了一個與絕對溫度成正比的電流,再作用在電阻R2上產生一個與絕對溫度成正比的電壓,從而補償三極管Q1基極-發射極電壓中的一階溫度系數,產生一個較低溫度系數的基準電壓,再通過電阻R6、R7升壓,得到需要的基準電壓值,運算放大器主要用來鉗位電壓的作用,并且通過三極管Q1、Q2,P型MOS管MP7,電阻R5、R6構成反饋環路;
所述高低溫補償電路設有固定電壓輸入端口Va、固定電壓輸入端口Vb和PTAT電壓輸入端口VPTAT,高低溫補償電路包括一電流源I、七個P型MOS管和兩個電阻,其電路連接為:
第零P型MOS管MP0的漏極、第零P型MOS管MP0的柵極、電流源I的輸入端、第一P型MOS管MP1的柵極均與第二P型MOS管MP2的柵極電連接;第一P型MOS管MP1的漏極、第三P型MOS管MP3的源極均與第四P型MOS管MP4的源極電連接;第二P型MOS管MP2的漏極、第五P型MOS管MP5的源極均與第六P型MOS管MP6的源極電連接,
固定電壓輸入端口Va與第三P型MOS管MP3的柵極電連接;固定電壓輸入端口Vb與第六P型MOS管MP6的柵極電連接;PTAT電壓輸入端口VPTAT與第四P型MOS管MP4的柵極電連接、第五P型MOS管MP5的柵極電連接,
高低溫補償電路的高溫補償電壓輸出端口Vhigh與第三P型MOS管MP3的漏極電連接,高低溫補償電路的低溫補償電壓輸出端口Vlow與第五P型MOS管MP5的漏極電連接;第三P型MOS管MP3的漏極與第五P型MOS管MP5的漏極電連接后再電連接在電阻R0與電阻R2之間的連接線路上,
第零P型MOS管MP0的源極、第一P型MOS管MP1的源極、第二P型MOS管MP2的源極均與電源VDD電連接,
第四P型MOS管MP4的漏極、第六P型MOS管MP6的漏極、電流源I的流出端均與地GND電連接,
其中電阻R0用于高低溫補償電壓和由帶隙基準核心電路產生的電壓的疊加,從而實現對帶隙基準核心電路中的基準電壓的高溫部分、基準電壓的低溫部分進行補償。
2.根據權利要求1所述的具有高階補償的基準電壓源,其特征在于,所述運算放大器為折疊式共源共柵放大器,包括四個P型MOS管和五個N型MOS管,其電路連接方式為:
第一N型MOS管MN1的柵極與該運算放大器的同向輸入端連接,第二N型MOS管MN2的柵極與該運算放大器的反向輸入端連接,
第一N型MOS管MN1的漏極與第一P型MOS管MP1的漏極、第三P型MOS管MP3的源極連接,第二N型MOS管MN2的漏極與第二P型MOS管MP2的漏極、第四P型MOS管MP4的源極連接,第一N型MOS管MN1的源極、第二N型MOS管MN2的源極與第三N型MOS管MN3的漏極連接,第三P型MOS管MP3的漏極與第四N型MOS管MN4的漏極、第四N型MOS管MN4的柵極、第五N型MOS管MN5的柵極連接,
第四P型MOS管MP4的漏極、第五N型MOS管MN5的漏極與該運算放大器的輸出端口Vout連接,
第一P型MOS管MP1的柵極、第二P型MOS管MP2的柵極與偏置電壓Vpb1連接,第三P型MOS管MP3的柵極、第四P型MOS管MP4的柵極與偏置電壓Vpb2連接,第三N型MOS管MN3的柵極與偏置電壓Vnb1連接,
第一P型MOS管MP1的源極、第二P型MOS管MP2的源極與電源VDD連接,第三N型MOS管MN3的源極、第四N型MOS管MN4的源極、第五N型MOS管MN5的源極與地GND連接,所述連接均為電路連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣州市力馳微電子科技有限公司,未經廣州市力馳微電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410326657.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





