[發明專利]一種通過硒元素摻雜提高銅鎘錫硫薄膜晶粒尺寸的制備方法無效
| 申請號： | 201410326642.0 | 申請日： | 2014-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN104060235A | 公開（公告）日： | 2014-09-24 |
| 發明（設計）人： | 孟磊;徐娜;陳哲 | 申請（專利權）人： | 吉林化工學院 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 132022*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 通過 元素 摻雜 提高 銅鎘錫硫 薄膜 晶粒 尺寸 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種通過硒元素摻雜提高銅鎘錫硫薄膜晶粒尺寸的制備方法，其特征在于采用銅鎘錫硫單一靶材進行磁控濺射，對濺射后的薄膜進行摻入硒元素的硫化熱處理，將獲得大晶粒尺寸的銅鎘錫硫薄膜。
2.一種通過硒元素摻雜提高銅鎘錫硫薄膜晶粒尺寸的制備方法，其特征在于經過硒摻雜后的硫化熱處理相對于單純硫化熱處理，能有效的提高銅鎘錫硫薄膜的晶粒尺寸，其晶粒尺寸可達到2 mm，銅鎘錫硫薄膜為硫鎘黃錫礦（cernyite）結構。
3.按照權利要求1所述的硒元素摻雜提高銅鎘錫硫薄膜晶粒尺寸的制備方法，其特征在于通過對單一靶材進行磁控濺射的銅鎘錫硫薄膜進行硒元素摻雜的硫化熱處理能有效解決單純硫化銅鎘錫硫濺射薄膜晶粒尺寸較小的問題，摻雜硒元素后的銅鎘錫硫薄膜晶粒尺寸可達到2 mm。
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