[發明專利]OLED像素結構在審
| 申請號: | 201410326557.4 | 申請日: | 2014-07-09 |
| 公開(公告)號: | CN104037205A | 公開(公告)日: | 2014-09-10 |
| 發明(設計)人: | 劉亞偉;王宜凡 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 像素 結構 | ||
1.一種OLED像素結構,包括:紅色、綠色及藍色子像素(11、22、33),所述紅色子像素(11)具有紅光發光層(61),綠色子像素(22)具有綠光發光層(62),藍色子像素(33)具有藍光發光層(63),其特征在于,藍光發光層(63)的材料包括無機量子點,所述藍光發光層(63)發射白光,對應藍色子像素(33)設有藍光濾光片(12)。
2.如權利要求1所述的OLED像素結構,其特征在于,所述無機量子點為白光量子點,或所述無機量子點為紅光量子點、綠光量子點與藍光量子點的組合,或所述無機量子點為藍光量子點與黃光量子點的組合。
3.如權利要求2所述的OLED像素結構,其特征在于,所述白光量子點為CdSe、CdS、CdTe、CdMnS、ZnSe、或ZnMnSe等Ⅱ~Ⅵ族量子點,所述藍光量子點為ZnCdS、CdSe/ZnS、或納米SiN4,所述綠光量子點為CdSe/ZnS、或ZnSe:Cu2+,所述紅光量子點為CdSe/CdS/ZnS,所述黃光量子點為CdSe/CdS/ZnS、或ZnS:Mn2+。
4.如權利要求1所述的OLED像素結構,其特征在于,所述藍光發光層(63)的制作工藝為:將無機量子點顆粒與表面包覆劑及溶劑混合,涂覆并揮發去除溶劑后得到無機量子點,所述表面包覆劑包括硬脂酸、氧化三鋅基膦、或聚甲基丙烯酸甲酯;所述溶劑是氯仿、甲苯、氯苯或甲醇。
5.如權利要求1所述的OLED像素結構,其特征在于,所述藍光發光層(63)的制作工藝為:將有機主體材料與無機量子點顆粒及溶劑混合,涂覆并揮發去除溶劑后得到無機量子點;所述有機主體材料為TCTA或TRZ;所述溶劑是氯仿、甲苯、氯苯或甲醇。
6.如權利要求1所述的OLED像素結構,其特征在于,所述紅光發光層(61)由紅光有機發光材料形成,其為Ir(piq)3,所述綠光發光層(62)由綠光有機發光材料形成,其為Ir(ppy)3。
7.如權利要求1所述的OLED像素結構,其特征在于,還包括基板、及密封連接于基板上的覆蓋層,所述紅色、綠色、及藍色子像素(11、22、33)分別設于基板(1)上,且為覆蓋層(9)所覆蓋,所述基板(1)與覆蓋層(9)的材料為玻璃或柔性材料,所述基板(1)與覆蓋層(9)中至少一個是透光的;在對應藍色子像素(33)的覆蓋層(9)下方對應設有藍光濾光片(12)。
8.如權利要求7所述的OLED像素結構,其特征在于,所述紅色子像素(11)包括:位于基板(1)上的陽極(2)、位于陽極(2)上的薄膜晶體管(3)、位于薄膜晶體管(3)上的空穴注入層(4)、位于空穴注入層(4)上的空穴傳輸層(5)、位于空穴傳輸層(5)上的紅光發光層(61)、位于紅光發光層(61)上的電子傳輸層(7)、及位于電子傳輸層(7)上的陰極(8);所述綠色子像素(22)包括:位于基板(1)上的陽極(2)、位于陽極(2)上的薄膜晶體管(3)、位于薄膜晶體管(3)上的空穴注入層(4)、位于空穴注入層(4)上的空穴傳輸層(5)、位于空穴傳輸層(5)上的綠光發光層(62)、位于綠光發光層(62)上的電子傳輸層(7)、及位于電子傳輸層(7)上的陰極(8);所述藍色子像素(33)包括:位于基板(1)上的陽極(2)、位于陽極(2)上的薄膜晶體管(3)、位于薄膜晶體管(3)上的空穴注入層(4)、位于空穴注入層(4)上的空穴傳輸層(5)、位于空穴傳輸層(5)上的藍光發光層(63)、位于藍光發光層(63)上的電子傳輸層(7)、及位于電子傳輸層(7)上的陰極(8);所述電子傳輸層(7)材料為八羥基喹啉鋁,所述空穴傳輸層(5)材料為聚三苯胺,所述空穴注入層(4)材料為PEDOT。
9.如權利要求1所述的OLED像素結構,其特征在于,所述紅光發光層(61)與綠光發光層(62)采用真空蒸鍍的方法制成,且在形成藍光發光層(64)后形成。
10.如權利要求1所述的OLED像素結構,其特征在于,還包括白色子像素,所述白色子像素(44)具有白光發光層(64),所述白光發光層(64)的材料包括無機量子點,所述白光發光層(64)發射白光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





