[發明專利]一種發光二極管外延片及其制造方法在審
| 申請號： | 201410326480.0 | 申請日： | 2014-07-09 |
| 公開（公告）號： | CN104157763A | 公開（公告）日： | 2014-11-19 |
| 發明（設計）人： | 從穎;姚振;韓杰;胡加輝;魏世禎 | 申請（專利權）人： | 華燦光電(蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管外延片，所述外延片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的低溫緩沖層、高溫緩沖層、N型層、有源層、電子阻擋層、P型層，其特征在于，所述電子阻擋層包括GaN層、以及依次層疊在所述GaN層上的至少兩層AlGaN層，所述至少兩層AlGaN層的Al組分含量沿所述外延片的生長方向逐層遞增或逐層遞減。
2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，各個所述AlGaN層為AlxGaN層，x的取值范圍為0.05-0.1。
3.根據權利要求2所述的外延片，其特征在于，相鄰兩層所述AlGaN層的Al組分的變化率為10％-50％。
4.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述GaN層的厚度為2-6nm。
5.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述至少兩層AlGaN層的總厚度為10-30nm。
6.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，各個所述AlGaN層的厚度相等。
7.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述至少兩層AlGaN層的層數為2-8層。
8.一種制造如權利要求1-7任一項所述的發光二極管外延片的方法，其特征在于，所述方法包括：
在襯底上依次沉積低溫緩沖層、高溫緩沖層、N型層、有源層；
在所述有源層上沉積電子阻擋層，所述電子阻擋層包括GaN層、以及依次層疊在所述GaN層上的至少兩層AlGaN層，所述至少兩層AlGaN層的Al組分含量沿所述外延片的生長方向逐層遞增或逐層遞減；
在所述電子阻擋層上沉積P型層。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，沉積所述電子阻擋層時，反應室壓力為100-200torr。
10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，沉積所述電子阻擋層時，反應室溫度為800-880℃。
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