[發明專利]一種半導體器件和電子裝置

有效

• 申請號: 201410326153.5
• 申請日: 2014-07-09
• 公開（公告）號: CN105244368B
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發明（設計）人: 鐘浩;余云初;沈憶華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L23/58
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;趙禮杰

本發明提供一種半導體器件和電子裝置，涉及半導體技術領域。本發明的半導體器件，在保護環中包括設置于鰭型結構上方的第一導電連接件以及連接至少兩個第一導電連接件的第二導電連接件，由于第二導電連接件將不同的第一導電連接件實現電性連接且與第一導電連接件為一體結構，因此，可以形成低阻的保護環，使保護環更好地發揮作用。本發明的電子裝置，使用了上述半導體器件，因而同樣具有上述優點。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種半導體器件和電子裝置。

背景技術

在現有技術中，半導體器件通常包括位于半導體襯底100上的晶體管組件101以及位于該半導體襯底100上且位于晶體管組件101的外圍的保護環(guard ring)102，如圖1A所示。其中，在保護環102內還可以設置有襯底接觸(pick up)結構(圖1A未示出)。形成保護環102以及襯底接觸結構的區域，通常稱作保護環和襯底接觸區(guard ring and pickupregion)。

對于采用普通晶體管的半導體器件，其半導體襯底的表面由于不存在鰭型結構而為平面，保護環和襯底接觸區(guard ring and pickup region)通常采用整塊的有源區(AA)來實現。

隨著半導體技術節點的不斷縮小，越來越多的半導體器件采用鰭型場效應晶體管(Fin FET)制造，其半導體襯底的表面由于存在鰭型結構而不再為平面，導致保護環的結構也相應發生了變化。其中，圖1B示出了采用鰭型場效應晶體管之后半導體器件的保護環102區域的變化，圖1B僅示意了圖1A中保護環位于方框1021內的部分的變化情況。如圖1B所示，在采用鰭型場效應晶體管之后，半導體器件的保護環包括多個彼此不相連的鰭型結構103，由于鰭型結構103彼此不相連，導致鰭型結構103之間無法形成電性連接。因此，為了使鰭型結構103之間形成電性連接，現有技術中通常采用圖1C所示的結構。如圖1C所示，半導體器件的保護環區域除包括多個平行排列的鰭型結構103之外，還設置有位于鰭型結構103之上連接至少兩個鰭型結構103的單向的第一導電連接件104。由于第一導電連接件104是單向的且彼此之間不存在電性連接，鰭型結構103之間為高阻電性連接，需要到后段制程(BEOL)中的金屬互連階段才能實現第一導電連接件104之間的電性連接，從而形成低阻的保護環。然而，由于需要到后段制程中的金屬互連工藝中才能形成低阻的保護環，導致在后段制程之前保護環無法發揮作用。

由此可見，為解決上述技術問題，有必要提出一種新的半導體器件。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供一種半導體器件和電子裝置。

本發明實施例一提供一種半導體器件，包括位于半導體襯底上的晶體管組件以及位于所述半導體襯底上且位于所述晶體管組件的外圍的保護環，其中，所述保護環包括位于所述半導體襯底上的平行排列的鰭型結構與位于所述鰭型結構之上且連接至少兩個所述鰭型結構的第一導電連接件，還包括連接至少兩個所述第一導電連接件的第二導電連接件，其中所述第二導電連接件與所述第一導電連接件為一體結構。

可選地，所述第二導電連接件與所述第一導電連接件形成網狀結構。

可選地，所述第二導電連接件垂直于所述第一導電連接件。

可選地，所述第二導電連接件的寬度相同，并且相鄰的所述第二導電連接件之間的間距相同。

可選地，所述第一導電連接件的寬度相同，并且相鄰的所述第一導電連接件之間的間距相同。

可選地，所述第一導電連接件垂直于所述鰭型結構。

可選地，所述鰭型結構的寬度相同，并且相鄰的所述鰭型結構之間的間距相同。

可選地，所述保護環還包括位于所述鰭型結構之上且與所述第一導電連接件平行設置的虛擬柵極。