[發明專利]一種桂花苗圃的面源污染防控栽培方法

有效

• 申請號: 201410326106.0
• 申請日: 2014-07-10
• 公開（公告）號: CN104054496A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 尹梅;陳檢鋒;陳華;王志遠;付利波;蘇帆;洪麗芳
• 申請（專利權）人: 云南省農業科學院農業環境資源研究所
• 主分類號: A01G1/00
• 分類號: A01G1/00
• 代理公司: 昆明正原專利商標代理有限公司 53100
• 代理人: 金耀生

1.一種桂花苗圃的面源污染防控栽培方法，其特征在于經過下列各步驟：

（1）整地施肥：于第一年7～8月，先清除雜草后深翻曬垡，熟化土壤，再于次年2月，在每隔2m的行距上開深溝，在深溝內從下至上依次鋪設秸桿草層、土層、有機肥層、覆土層；

（2）桂花樹栽種：在步驟（1）的深溝上間隔一行進行挖坑，同一條深溝上所挖坑的坑間距離為2m，于同年3月在坑內栽種獨桿桂花樹實生苗，此后按常規桂花樹栽培方法進行施肥、灌排水、防治病蟲害、修剪；

（3）醡漿草栽種：在步驟（2）的獨桿桂花樹實生苗的行間深溝內按0.4～0.6kg/畝進行撒播醡漿草種子；

（4）醡漿草的栽培：對步驟（3）播種的醡漿草種子在幼苗期進行1～2次人工除雜草，待醡漿草植株長至高0.02m以上時進行刈割，每隔30～45天刈割1次，待醡漿草種子播種一年后，按每年3～4次進行刈割；

（5）覆蓋管理：將步驟（4）刈割的醡漿草覆蓋在距離桂花樹主干20～30cm的四周；

（6）苗圃施肥：于每年3月下旬對每株桂花樹施氮肥0.1～0.3kg，于每年7月對每株桂花樹施磷肥和鉀肥0.1～0.3kg，于每年10月對每株桂花樹施底肥2～3kg；其中，施底肥時，每年變換施肥部位，把覆蓋的醡漿草耙開，每次在桂花樹的東西兩側或南北兩側沿樹冠滴水線位置開設深為30～40cm、寬為20～30cm、長為80～100cm的溝，將底肥施入溝中，回填土壤后，把原先覆蓋的醡漿草覆蓋在其土壤上，即完成桂花苗圃的面源污染防控栽培。

2.根據權利要求1所述的桂花苗圃的面源污染防控栽培方法，其特征在于：所述步驟（1）中深溝的深度為55～65cm，寬度為55～65cm。

3.根據權利要求1所述的桂花苗圃的面源污染防控栽培方法，其特征在于：所述步驟（1）中鋪設秸桿草層的厚度為20～25cm，土層厚度為30cm，有機肥層的總質量為3000～4000kg/畝，覆土層鋪設至高出地面10cm。

4.根據權利要求1所述的桂花苗圃的面源污染防控栽培方法，其特征在于：所述步驟（2）的獨桿桂花樹實生苗的樹種為銀桂或金桂。

5.根據權利要求1所述的桂花苗圃的面源污染防控栽培方法，其特征在于：所述步驟（2）的獨桿桂花樹實生苗的直徑為2～4cm，高度為1.5～2.5m，冠幅為60～80cm。

6.根據權利要求1所述的桂花苗圃的面源污染防控栽培方法，其特征在于：所述步驟（3）中醡漿草種子的品種為紅花醡漿草。

7.根據權利要求1所述的桂花苗圃的面源污染防控栽培方法，其特征在于：所述步驟（6）中施氮肥、施磷肥和鉀肥是采用常規滴灌施肥的方法。