[發明專利]一種帶有AAO納米光柵的新型太陽能電池雙重陷光結構無效
| 申請號: | 201410325837.3 | 申請日: | 2014-07-08 |
| 公開(公告)號: | CN104064607A | 公開(公告)日: | 2014-09-24 |
| 發明(設計)人: | 張海明;張晶晶;秦飛飛;王彩霞;郭聰 | 申請(專利權)人: | 天津工業大學 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/054;H01L31/056;B82Y20/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 300387 天津市*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 帶有 aao 納米 光柵 新型 太陽能電池 雙重 結構 | ||
1.一種帶有AAO納米光柵的新型太陽能電池雙重陷光結構,由表面AAO減反結構和背面AAO、Ag背反射結構組成。
2.根據權利要求1所述的帶有AAO納米光柵的新型太陽能電池雙重陷光結構,其中表面AAO減反結構由AAO納米光柵、ITO導電玻璃兩層結構組成。
3.根據權利要求2所述的帶有AAO納米光柵的新型太陽能電池雙重陷光結構,其中表面AAO減反結構的特征是AAO的制備過程中將Ti鍍在ITO和AAO之間,Ti的厚度不得大于20nm。
4.根據權利要求1所述的帶有AAO納米光柵的新型太陽能電池雙重陷光結構,其中背面AAO、Ag背反射結構由AAO納米光柵、銀背反射層、ITO導電玻璃三層結構組成。
5.根據權利要求4所述的帶有AAO納米光柵的新型太陽能電池雙重陷光結構,其中背面AAO、Ag背反射結構的特征是將Ag鍍在ITO上,Ag的厚度不得小于30nm。
6.根據權利要求1所述的帶有AAO納米光柵的新型太陽能電池雙重陷光結構,其中AAO納米光柵都是通過兩步陽極氧化得到。
7.根據權利要求1所述的帶有AAO納米光柵的新型太陽能電池雙重陷光結構,其特點是AAO尺寸可調節,在制備過程中要求按照說明書中的尺寸制備AAO納米光柵。
8.根據權利要求1-7所述的帶有AAO納米光柵的新型太陽能電池雙重陷光結構,其特征是可用于多晶硅、單晶硅、薄膜硅等多種太陽能電池。
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H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





