[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410325571.2
• 申請日: 2014-07-09
• 公開（公告）號: CN104283533B
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 鹿口直斗;樽井陽一郎
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H03K17/08
• 分類號: H03K17/08;H01L29/739;H01L27/04
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 何立波,張天舒

1.一種半導體裝置，具有：

半導體元件，其由具有發光性的寬帶隙半導體材料形成，在工作時發光；

電流檢測部，其對所述半導體元件的工作時流動的電流作為工作電流進行檢測；

光纖，所述半導體元件的工作時的出射光入射至該光纖中；以及

光電二極管，其接收在所述光纖中傳播而得到的所述出射光，

所述電流檢測部是與所述光纖、所述光電二極管電氣以及光學獨立地設置的。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體元件以及所述電流檢測部作為一體地單芯片化的半導體元件形成部而形成，從所述半導體元件形成部的側面部出射所述半導體元件的所述出射光，

將所述光纖的入射面配置為與所述半導體元件形成部的所述側面部相對。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，

所述半導體元件形成部包含各自具有所述半導體元件以及所述電流檢測部的多個半導體元件形成部，

所述光纖由各自具有入射面的多個分支部分和具有出射面并與所述多個分支部分共同連接的匯合部分構成，所述多個分支部分各自的入射面設置為被入射在所述多個半導體元件形成部中相應的半導體元件形成部的發光時的出射光，所述匯合部分的所述出射面設置為由所述光電二極管接收所述出射光。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，還具有光路開關，該光路開關設置在所述多個分支部分和所述匯合部分之間，將由所述多個分支部分中的一個分支部分即選擇光路和所述匯合部分形成的光路設為有效。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，

具有發光性的所述寬帶隙半導體材料包含SiC以及GaN中的至少一個，

所述半導體元件包含肖特基勢壘二極管、PN二極管、IGBT、以及雙極晶體管中的至少一個元件。