[發(fā)明專利]光學(xué)系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410325345.4 | 申請(qǐng)日： | 2010-05-07 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104089701B | 公開(kāi)（公告）日： | 2016-11-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 柯正浩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣超微光學(xué)股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01J3/02 | 分類號(hào)： | G01J3/02;G01J3/18;G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京國(guó)昊天誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315 | 代理人： | 許志勇 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光學(xué)系統(tǒng) | ||
1.一種光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，包括：
一輸入部，用以接收一光學(xué)信號(hào)；
一預(yù)設(shè)輸出面；以及
一反射型繞射光柵，包括：
一光柵輪廓曲面，該光柵輪廓曲面為非圓弧面；以及
多個(gè)繞射結(jié)構(gòu)，用以將該光學(xué)信號(hào)分離為多個(gè)光譜分量，該些繞射結(jié)構(gòu)分別以多個(gè)光柵間距(Pitch)設(shè)置于該光柵輪廓曲面上，至少部份的該些光柵間距互為不同，使得該些光譜分量以實(shí)質(zhì)上垂直于該預(yù)設(shè)輸出面的方式射向該預(yù)設(shè)輸出面。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，該些光譜分量的個(gè)數(shù)至少大于3。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，該預(yù)設(shè)輸出面為一平面上的一直線。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，該預(yù)設(shè)輸出面為一電荷耦合元件(Charge?Couple?Device,CCD)的一光學(xué)影像接收面。
5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，該預(yù)設(shè)輸出面為一互補(bǔ)式金屬-氧化層-半導(dǎo)體(Complementary?Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)的一光學(xué)影像接收面。
6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，該反射型繞射光柵的光柵輪廓曲面與繞射結(jié)構(gòu)刻制于一半導(dǎo)體基底材料上。
7.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，該半導(dǎo)體基底材料為硅。
8.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，更包括：
一上波導(dǎo)板，具有一第一反射面；以及
一下波導(dǎo)板，實(shí)質(zhì)上平行于該上波導(dǎo)板設(shè)置，并具有一第二反射面，該第一反射面與該第二反射面相對(duì)，該第一反射面與該第二反射面之間形成一光通道，使來(lái)自于該輸入部的該光學(xué)信號(hào)在該光通道內(nèi)行進(jìn)。
9.如權(quán)利要求8所述的光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，該上波導(dǎo)板及該下波導(dǎo)板的材質(zhì)為不銹鋼、硅芯片、玻璃、光盤(pán)片或硬盤(pán)片。
10.如權(quán)利要求8所述的光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，該光通道為空腔式。
11.如權(quán)利要求10所述的光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，該光通道更以玻璃、塑料或壓克力填滿。
12.如權(quán)利要求8所述的光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，更包括一第一消光元件與一第二消光元件分別配置于該光通道的兩側(cè)，該第一消光元件與該第二消光元件的橫切面的一側(cè)邊呈鋸齒狀，該些鋸齒狀側(cè)邊面向該光通道，用以吸收射出角度大于一特定角度的該光學(xué)信號(hào)。
13.一種反射型繞射光柵，其特征在于，包括：
一光柵輪廓曲面，該光柵輪廓曲面為非圓弧面；以及
多個(gè)繞射結(jié)構(gòu)，用以將一光學(xué)信號(hào)分離為多個(gè)光譜分量，該些繞射結(jié)構(gòu)分別以多個(gè)光柵間距(Pitch)設(shè)置于該光柵輪廓曲面上，且至少部份的該些光柵間距互為不同，使得該些光譜分量以實(shí)質(zhì)上垂直于一預(yù)設(shè)輸出面的方式射向該預(yù)設(shè)輸出面。
14.如權(quán)利要求13所述的反射型繞射光柵，其特征在于，該些光譜分量的個(gè)數(shù)至少大于3。
15.如權(quán)利要求13所述的反射型繞射光柵，其特征在于，該預(yù)設(shè)輸出面為一平面上的一直線。
16.如權(quán)利要求13所述的反射型繞射光柵，其特征在于，該預(yù)設(shè)輸出面為一電荷耦合元件(Charge?Couple?Device,CCD)的一光學(xué)影像接收面。
17.如權(quán)利要求13所述的反射型繞射光柵，其特征在于，該預(yù)設(shè)輸出面為一互補(bǔ)式金屬-氧化層-半導(dǎo)體(Complementary?Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)的一光學(xué)影像接收面。
18.如權(quán)利要求13所述的反射型繞射光柵，其特征在于，該反射型繞射光柵的光柵輪廓曲面與繞射結(jié)構(gòu)刻制于一半導(dǎo)體基底材料上。
19.如權(quán)利要求13所述的反射型繞射光柵，其特征在于，該半導(dǎo)體基底材料為硅。
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