[發明專利]補償由壓力和物理應力引起的pH測量誤差的設備和方法在審
| 申請號： | 201410325329.5 | 申請日： | 2014-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN104330445A | 公開（公告）日： | 2015-02-04 |
| 發明（設計）人： | D·霍爾克黑默;D·S·維利茨 | 申請（專利權）人： | 霍尼韋爾國際公司 |
| 主分類號： | G01N27/26 | 分類號： | G01N27/26;G01N27/30 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 謝攀;胡莉莉 |
| 地址： | 美國新*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 補償 壓力 物理 應力 引起 ph 測量誤差 設備 方法 | ||
1.一種pH感測設備(100A，100B，100C，100D，200A，200B，300A，300B，400A，400B，500A，500B)包括：
離子感測電池(104)，其中離子感測電池(104)包括：
第一半電池(104A)，包括暴露于周圍溶液(220)的第一離子敏感場效應晶體管(ISFET)(202)；和
暴露于周圍溶液(220)的第二參比半電池(104B)；
壓力敏感補償回路(102)，包括非離子敏感場效應晶體管(NISFET)(204，250)；
其中pH感測設備(100A，100B，100C，100D，200A，200B，300A，300B，400A，400B，500A，500B)被配置為使用來自離子感測電池(104)的信號和來自壓力敏感補償回路(102)的反饋來補償壓力和物理應力中的至少一個；和
處理裝置(106)，被配置為計算被補償以最小化壓力和物理應力中的至少一個的最終pH讀數。
2.權利要求1的pH感測設備(100A，100B，100C，100D，200A，200B，300A，300B，400A，400B，500A，500B)，其中以下的至少一個：
壓力敏感補償回路(102)通信地耦合到離子感測電池(104)的第一半電池(104A)；
壓力敏感補償回路(102)通信地耦合到處理裝置(106)；和
處理裝置(106)發送反饋到以下的至少一個：
第一ISFET(202)；和
NISFET(250)。
3.一種限制pH感測設備(100A，100B，100C，100D，200A，200B，300A，300B，400A，400B，500A，500B)的輸出的測量誤差的方法，該方法包括：
使用離子感測電池來感測(602)周圍溶液(220)的pH，所述離子感測電池包括第一離子敏感場效應晶體管(ISFET)(202)；
使用非離子敏感場效應晶體管(NISFET)(204，250)來感測(604)pH感測設備(100A，100B，100C，100D，200A，200B，300A，300B，400A，400B，500A，500B)上的壓力和物理應力的至少一個；
補償(606)由壓力和物理應力的至少一個引起的pH測量的變化。
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