[發明專利]一種硅化鎳后形成工藝

有效

• 申請號: 201410325210.8
• 申請日: 2014-07-09
• 公開（公告）號: CN105244317B
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 禹國賓
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

1.一種在半導體結構中形成硅化鎳薄膜的方法，包括：

a)在具有晶體管結構的硅基片上沉積介質層；

b)蝕刻所述介質層，形成所述晶體管結構的源區和漏區的觸點開口，所述觸點開口暴露出所述硅基片；

c)利用鎳鹽溶液在所述觸點開口中電化學沉積鎳薄膜，所述鎳鹽溶液是堿性的；以及

d)退火處理所沉積的鎳薄膜以形成硅化鎳薄膜，

其中，

所述鎳鹽溶液包括可溶性Ni鹽，并添加有(NH₄)₂SO₄、NH₄F、C₆H₅Na₃O₇中的一種或多種。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鎳鹽溶液是NiSO₄溶液。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述NiSO₄溶液的濃度是0.01－1mol/L。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所沉積的鎳薄膜的厚度為5nm－50nm。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鎳鹽溶液的PH值為8－10。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟c)的處理時間為30s－3000s。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟c)的處理溫度為0℃－90℃。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟d)的退火處理選自以下中的一種或多種：

均溫退火，100℃－300℃，5s－200s；

尖峰退火，150℃－600℃；

激光退火/閃光退火，400℃－1000℃，0.1ms－20ms。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鎳薄膜僅沉積于所述觸點開口中暴露出的硅基片上。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶體管結構包括HKMG柵極結構。

11.一種半導體結構，包括根據權利要求1－10中任一項所述方法制得的硅化鎳薄膜。