[發明專利]PMOS管襯底選擇電路

有效

• 申請號: 201410325012.1
• 申請日: 2014-07-09
• 公開（公告）號: CN104133515A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 劉銀
• 申請（專利權）人: 劉銀
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

技術領域

本發明屬于集成電路技術領域，涉及一種PMOS管襯底選擇電路，適用于各種具有雙電源輸入的芯片系統中，特別適用于手機、便攜式電腦等具有雙電源的移動設備中。?

背景技術

PMOS管襯底選擇電路廣泛應用于模擬電路模塊里，尤其廣泛應用于具有雙電源的電路，如充電器電路、DC/DC升壓電路及升壓電荷泵電路中。?

圖1為現有技術中一種襯底選擇電路的電路示意圖。該襯底選擇電路結構簡單，如圖1所示，PMOS晶體管P1及P2為選擇和驅動管，P1源極連接至電源電壓V1，柵極連接至電源電壓V2，P2源極連接至電源電壓V2，柵極連接至電源電壓V1，P1與P2漏極相連，并接至P1及P2的襯底。對于這種襯底選擇電路，若V1＞V2，P1管導通，P2管截止，輸出電壓VOUT則為V1；若V2＞V1，則P1管截止，P2管導通，輸出電壓VOUT則為V2，可見，VOUT為V1，V2兩者中選出的較高的一個。?

雖然上述襯底選擇電路結構簡單，卻存在如下缺點：上述襯底選擇電路當V1和V2差別比較大時能做出正確選擇，但當V1，V2差別不大且需要有驅動能力時，由于P1和P2均不能完全導通，導致VOUT不能做出正確選擇；如果V1和V2中有一個電壓不存在時，P1或P2的柵壓浮空，也會導致VOUT不能做出正確選擇。?

發明內容

本發明的目的在于提供一種PMOS管襯底選擇電路，克服上述現有技術存在的V1和V2接近或者V1和V2中有一個電壓不存在時襯底選擇電路不能作出正確選擇的缺點。?

為達上述及其它目的，本發明提供一種PMOS管襯底選擇電路，用于輸出第一電源電壓及第二電源電壓之中較高者，提供給PMOS管作為襯底電壓使用。包括：基準電流源電路、比較器電路和高電壓選擇電路。?

所述基準電流源，連接到第一電源電壓，產生一個基準電流，分別在第一電源電壓域和第二電源電壓域鏡像獲得第一鏡像電流和第二鏡像電流；?

所述比較器電路，利用所述第一鏡像電流和所述第二鏡像電流作為負載，比較第一電源電壓和第二電源電壓的大小，并利用第一反相器進行整形，輸出一個比較值；

所述高電壓選擇電路，輸入為所述比較器的比較值，選擇第一電源電壓和第二電源電壓中較高的一個輸出。

所述基準電流源包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管及第一電阻、第二電阻和第三電阻。第一電阻的正端連接第一電源電壓，第一電阻負端連接到第一NMOS管的漏端和柵端以及第二NMOS管和第三NMOS管的柵端，第一NMOS管的源端和襯底接地，第二NMOS管源端接第二電阻正端，第三NMOS管源端接第三電阻正端，第二電阻和第三電阻負端接地。?

所述比較器電路包括：第三PMOS管、第四PMOS以及第一反相器。第三PMOS管源端及襯底接第一電源電壓，第四PMOS管源端及襯底接第二電源電壓，第三PMOS管柵極和漏極短接并連接到第四PMOS管的柵極，第三PMOS管的漏極還接到以上所述第二NMOS管的漏極，第四PMOS管的漏極連接以上所述第三NMOS管的漏極和第一反相器輸入端，第一反相器的輸出端輸出比較值。?

所述高電壓選擇電路包括：第一PMOS管、第二PMOS以及第二反相器和第三反相器。第一PMOS管源端連接第一電源電壓，第二PMOS管源端連接第二電源電壓，第一和第二PMOS管的漏端和襯底均連接到輸出電壓并作為第二和第三反相器的電源電壓。第二反相器輸入端連第一反相器的輸出端、輸出端連第一PMOS管柵極和第三反相器的輸入端。第三反相器的輸出端連接到第二PMOS管的柵極。?

本發明由于采用了上述的技術方案，與現有技術相比，它可以在兩個輸入電壓值接近時仍能做出正確的選擇，同時，本發明還通過電流鏡電路鏡像獲得較小的鏡像電流，并可設置其中電阻的阻值使整個電路的靜態電流更小，降低了電路功耗，可見本發明具有輸入電壓范圍廣，面積小，結構簡單，功耗低的優點。?

附圖說明

通過以下對本發明PMOS管襯底選擇電路的一實施例結合其附圖的描述，可以進一步理解本發明的目的、具體結構特征和優點。其中，附圖為：?

圖1是現有技術PMOS管襯底選擇電路的電原理圖；

圖2是本發明PMOS管襯底選擇電路的電原理圖。

圖3是本發明PMOS管襯底選擇電路中反相器的電原理圖。?

具體實施方式